本标准规定了生物试样扫描电子显微镜分析的技术要求和规范。本标准适用于各种类型的扫描电子显微镜。

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本标准规定了用于评估扫描电子显微镜（SEM）生成的数字图像锐度的3种方法：傅立叶变换（FT）法、衬度梯度（CG）法、导数（DR）法。

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本标准规定了采用电子背散射衍射（Electron backscatter diffraction, EBSD）技术对金属及合金中的相进行定性和定量分析时参数校正、数据采集的方法。本标准适用于EBSD对金属及合金试样的相分析，其他多晶或单晶材料的EBSD相分析也可参照执行。

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本标准规定了在俄歇电子能谱（AES）和X射线光电子能谱（XPS）中使用惰性气体离子以保证溅射深度剖析具有好的深度分辨率以及最佳表面清洁效果而采取的离子束对准方法。这些方法分为两类：一类通过法拉第杯测量离子束流，另一类通过成像方法。法拉第杯方法也规定了离子束束流密度和束流分布的测量。这些方法不包括深度分辨率的优化。这些方法均适用于束斑直径小于1 mm的离子枪。

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本标准规定了应用透射电子显微镜对黄瓜绿斑驳花叶病毒进行形态学检测的技术要求和规范。本标准适用于黄瓜绿斑驳花叶病毒的检验检疫与鉴定。

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本文件描述了五种原子力显微术探针悬臂梁法向弹性常数的测量方法，测量的精度误差为5%~10%。每个方法分别隶属于尺寸法、静态实验法和动态实验法三类方法中的一种。方法的选择取决于分析所要达到的目的，便易性及现有的仪器条件。
本文件不适用于高于5%～10%的测量精度，如要获得高于5%~10%的测量精度，需要使用本文件未提及的更高精度的方法进行测量。

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本文件描述了用于最高等级几何量测量的扫描探针显微镜（SPM）扫描轴的表征和校准方法，适用于提供进一步校准的测量系统，而不适用于校准等级需求较低的一般工业应用。
本文件旨在：
——通过对长度单位溯源，提高SPM几何量测量结果的可比性；
——明确校准程序及验收条件的最低要求；
——确认被校准仪器的能力（赋予仪器“校准能力”所属的类别）；
——规定校准的范围（测量及环境条件、测量范围、时间稳定性、通用性）；
——根据ISO/IEC Guide 98-3，提供模型来计算SPM测量中简单几何量的不确定度；
——规定报告结果的要求。

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本文件描述了用于测量扫描电容显微镜（scanning capacitance microscope，SCM）或扫描扩展电阻显微镜（scanning spreading resistance microscope，SSRM）空间（横向）分辨的方法，该方法涉及使用锐边的器件。这2种显微镜广泛应用于半导体器件的载流子分布成像和其他电学特性的测量。

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本标准规定了化工产品密度和相对密度测定的术语和定义，固体、液体和气体化工产品的密度和相对密度测定的方法。
本标准适用于一般化工产品密度和相对密度的测定。
本标准不适用于炭黑、开孔式泡沫橡胶或塑料等特殊状态的化工产品密度、相对密度的测定。

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本标准规定了X射线光电子能谱仪的检定方法。本标准适用于使用非单色化Al或Mg X射线或单色化Al X射线，且带有溅射清洁用离子枪的X射线光电子能谱仪的检定。

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本标准以最少量的资料描述了用X射线光电子能谱测量绝缘样品内能级结合能，及将在报告其分析结果时所采用的荷电控制和荷电校正方法，也给出了在结合能测量过程中对于荷电控制和荷电校正有用的方法资料。

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本标准指定了一种由离子注入参考物质确定二次离子质谱分析中相对灵敏度因子的方法。
本标准适用于基体化学成分单一的样品，其中注入物质的峰值原子浓度不超过1%。

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本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6 nm。

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本标准规定了纳米材料超双亲性能检测方法的术语及定义、方法原理、仪器和试剂、样品制备、检测条件、检测步骤及结果评定、检测报告等。
本标准适用于检测经纳米技术处理，组成均匀、光滑、不变形（在液体表面张力的垂直分量的作用下）和各向同向性的固体表面超双亲性能。
本标准不适用于能够吸收所测液体的材料。

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