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本文件规定了4H碳化硅抛光片表面质量和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。 本文件适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm,厚度范围为300 μm~1 000 μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。
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本文件描述了氧化铝松装和振实密度的测定方法。本文件适用于氧化铝松装和振实密度的测定,氢氧化铝、精细氧化铝及其他固体颗粒物料可参照执行。
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本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。 本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向〈112-0〉方向0°~8°的碳化硅单晶位错密度的测试。
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本文件规定了液态金属密度的测定方法。 本文件适用于在室温至300 ℃范围内进行液态金属密度的测定。在300 ℃以上的熔盐、金属熔体密度测定也可参照使用。
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本文件规定了在容积为0.2 m3的容器中测定焦炭堆积密度的术语和定义、原理、仪器设备、试样采取和缩分、试验步骤、结果计算和精密度等。 本文件适用于粒度不大于125 mm的焦炭。
本文件规定了粉末混合料高温时松装密度的测定方法,主要适用于温压的钢铁粉末。方法主要依据ISO 39231中规定的松装密度测定方法(漏斗法),两种漏斗可以由相关方协商确定后选择。
本文件规定了两种流速测定方法,用于测定一定数量的加热后的粉末混合料通过一个固定孔径的漏斗的时间(流速),这种粉末主要是适用于温压的钢铁粉末。 方法A使用孔径为2.5 mm的漏斗,样品量为50 g,主要依据ISO 4490中规定的方法。该方法只适用于在加热的条件下能自由流过2.5 mm孔径的粉末混合料。 方法B使用孔径为5 mm的漏斗,样品量为150 g。 这两种方法的试验温度范围均为60 ℃~180 ℃,相关方协商确定后可选择其中一种。
本文件规定了振实密度的测定方法,即粉末在规定条件下在容器中被振实后的密度。
本标准规定了砷化镓单晶位错密度的测试方法。 本标准适用于{100}、{111}面砷化镓单晶位错密度的测试,测试范围为0 cm-2~100 000 cm-2。
本标准规定了锗单晶位错密度的测试方法。 本标准适用于{111}、{100}和{113}面锗单晶位错密度的测试,测试范围为0 cm-2~100 000 cm-2。
本标准规定了取向和无取向电工钢带(片)的电阻率、密度和叠装系数的测定方法。这些物理参数是材料物理性能的表征。其中,密度是测定磁极化强度、电阻率和叠装系数时需要的条件参数。 由于这些性能参数与温度相关,除非另有规定,测量将在室温23 ℃±5 ℃进行。
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本标准规定了太阳能级多晶硅锭、硅片的晶体缺陷密度测定方法,包含方法概要、试剂和材料、仪器和设备、试样制备、测试步骤、数据处理、精密度、干扰因素和报告。 本标准适用于太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度的测定。
本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于测试位错密度小于1 000个/cm2、直径为75 mm~150 mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。
GB/T 1479的本部分规定了用振动漏斗法测量金属粉末松装密度的方法。本部分适用于不能自由流过漏斗法(见GB/T 1479.1)中孔径为5.0 mm漏斗的金属粉末。本部分不适用于在振动过程中易于破碎的金属粉末(GB/T 1479.2中规定了这种粉末松装密度的测定方法)。
本标准规定了蓝宝石单晶位错密度的测量方法。 本标准适用于抛光加工后位错密度为0个/cm2~100 000个/cm2的蓝宝石单晶位错密度的测量,检测面为{0001}、{1120}、{1012}、{1010}面。
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