【国家标准】碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试　共焦点微分干涉法

本网站发布时间： 2023-12-15

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标准简介

本文件规定了4H碳化硅抛光片表面质量和微管密度的共焦点微分干涉测试方法。
本文件适用于直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm，厚度范围为300 μm～1 000 μm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。

标准号：
GB/T 43313-2023
标准名称：
碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试　共焦点微分干涉法
英文名称：
Test method for surface quality and micropipe density of polished silicon carbide wafers—Confocal and differential interferometry optics
标准状态：
即将实施
发布日期：
2023-11-27
实施日期：
2024-06-01
出版语种：
中文简体

起草人：
姚康刘立娜何烜坤李素青马春喜高飞张红岩陆敏郑红军房玉龙芦伟立丁雄杰刘薇李嘉炜晏阳钮应喜杨玉聪黄树福
起草单位：
中国电子科技集团公司第四十六研究所、山东天岳先进科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、湖州东尼半导体科技有限公司、厦门坤锦电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国科学院半导体研究所、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、浙江东尼电子股份有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

【国家标准】 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法