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【国家标准】 碳化硅单晶位错密度的测试方法

本网站 发布时间: 2023-05-04
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适用范围:

本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。
本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向〈112-0〉方向0°~8°的碳化硅单晶位错密度的测试。

基本信息

  • 标准号:

    GB/T 41765-2022

  • 标准名称:

    碳化硅单晶位错密度的测试方法

  • 英文名称:

    Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide
  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    2022-10-12
  • 实施日期:

    2023-05-01
  • 出版语种:

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号:

    77.040
  • 中标分类号:

    H21

关联标准

  • 替代以下标准:

  • 被以下标准替代:

  • 引用标准:

  • 采用标准:

出版信息

  • 页数:

    16 页
  • 字数:

    24 千字
  • 开本:

    大16 开

其他信息

  • 起草人:

    彭同华 佘宗静 娄艳芳 王大军 赵宁 王波 郭钰 杨建 李素青
  • 起草单位:

    北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司
  • 归口单位:

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
  • 提出部门:

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
  • 发布部门:

    国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
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  • 国家标准计划