【国家标准】太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法

本网站发布时间： 2019-04-01

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标准简介

本标准规定了太阳能级多晶硅锭、硅片的晶体缺陷密度测定方法，包含方法概要、试剂和材料、仪器和设备、试样制备、测试步骤、数据处理、精密度、干扰因素和报告。
本标准适用于太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度的测定。

标准号：
GB/T 37051-2018
标准名称：
太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法
英文名称：
Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer
标准状态：
现行
发布日期：
2018-12-28
实施日期：
2019-04-01
出版语种：
中文简体

起草人：
李锋李英叶段青春张伟吴翠姑冯亚彬裴会川程小娟唐骏
起草单位：
英利集团有限公司、中国电子技术标准化研究院、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、泰州中来光电科技有限公司、晋能清洁能源科技有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、天津英利新能源有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
提出部门：
发布部门：
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

【国家标准】 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法