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GB/T 43493.2-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法
即将实施
发布日期 :
2023-12-28
实施日期 :
2024-07-01
GB/T 43493.3-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法
即将实施
发布日期 :
2023-12-28
实施日期 :
2024-07-01
GB/T 4937.26-2023
半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分:静电放电(ESD)敏感度测试 人体模型(HBM)
现行
发布日期 :
2023-09-07
实施日期 :
2024-04-01
本文件依据元器件和微电路对规定的人体模型(HBM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了元器件和微电路的ESD测试、评价和分级程序。本文件的目的是建立一种能够复现HBM失效的测试方法,并为不同类型的元器件提供可靠、可重复的HBM ESD测试结果,且测试结果不因测试设备而改变。重复性数据可以保证HBM ESD敏感度等级的准确划分及对比。半导体器件的ESD测试从本测试方法、机器模型(MM)测试方法(见IEC 6074927)或IEC 60749(所有部分)中的其他ESD测试方法中选择。除另有规定外,本测试方法为所选方法。
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