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T/CASME 1438-2024 导体器件加工规范 现行 发布日期 :  2024-04-20 实施日期 :  2024-04-30

本文件适用于半导体器件加工。

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T/CEPEA 0102-2023 化合物导体器件刻蚀工艺静电卡盘 现行 发布日期 :  2024-03-01 实施日期 :  2024-03-15

静电卡盘是在具较高相对介电常数的电介质材料内部设置具有特定功能结构的电极组图案,通过混凝、烧结、键合等一体化工艺制造而成。本文件界定了化合物半导体器件刻蚀工艺静电卡盘的术语和定义,规定了其结构和分类、工作条件、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。

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T/CIE 144-2022 导体器件可靠性强化试验方法 现行 发布日期 :  2022-12-31 实施日期 :  2023-01-31

本文件规定了半导体器件可靠性强化试验方法,并规定了半导体器件强化试验的一般步骤、相关要求、方法及参数监测等。
本文件适用于半导体分立器件、集成电路、微波器件的可靠性强化试验指导。

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T/ZZB Q063-2022 导体器件间歇工作寿命试验设备 现行 发布日期 :  2022-10-14 实施日期 :  2022-10-20

本文件规定了半导体器件间歇工作寿命试验设备(以下简称寿命试验设备)的术语和定义、基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标志、使用说明书、包装、运输和贮存。本文件适用于验证SiGaNSiC材料任意封装的二极管、三极管、SCR、MOSFET、IGBT等半导体功率器件的使用寿命,进行加速失效分析间歇工作寿命的试验设备。

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T/ZZB Q041-2022 混合信号导体器件测试设备 现行 发布日期 :  2022-06-28 实施日期 :  2022-07-01

本文件规定了混合信号半导体器件测试设备(以下简称测试设备)的术语和定义、基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和贮存。本文件适用于数字芯片、模拟芯片、数模混合芯片等半导体器件功能和性能测试设备。

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T/CIE 119-2021 导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序 现行 发布日期 :  2021-11-22 实施日期 :  2022-02-01

本文件确立了使用散裂中子源对半导体器件进行大气中子单粒子效应加速试验的方法与程序。
本文件适用于航空、地面等应用环境中半导体集成电路和半导体分立器件的中子单粒子效应敏感性检测试验。该环境下的中子来源于初始高能宇宙射线与大气的相互作用,主要为热中子和能量高于1 MeV的高能中子。
本文件适用的单粒子效应包括大气中子在半导体器件中引起的单粒子翻转、单粒子瞬态、单粒子功能中断、单粒子锁定、单粒子烧毁、单粒子栅穿等。
本文件不适用于α粒子引起的单粒子效应。

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T/CASAS 011.1-2021 车规级导体功率器件测试认证规范 现行 发布日期 :  2021-11-01 实施日期 :  2021-12-01

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T/ZSA 47-2020 电动汽车用功率导体器件可靠性试验方法 现行 发布日期 :  2020-12-06 实施日期 :  2020-12-07

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T/IAWBS 009-2019 功率导体器件稳态湿热高压偏置试验 现行 发布日期 :  2019-12-27 实施日期 :  2019-12-31

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