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GB/T 17573-1998 半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则 现行 发布日期 :  1998-11-17 实施日期 :  1999-06-01

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GB/T 15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件 现行 发布日期 :  1995-07-24 实施日期 :  1996-04-01

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GB/T 42706.2-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第2部分:退化机理 现行 发布日期 :  2023-05-23 实施日期 :  2023-09-01

本文件描述了电子元器件在实际贮存条件下随时间推移的退化机理和退化方式,以及评估一般退化机理的试验方法。通常本文件与IEC 624351一起使用,用于预计贮存时间超过12个月的长期贮存器件。特定类型电子元器件的退化机理在IEC 624355~IEC 624359中加以规定。

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GB/T 42709.19-2023 半导体器件 微电子机械器件 第19部分:电子罗盘 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2024-03-01

本文件界定了电子罗盘的术语和定义,规定了基本额定值和特性,描述了相应测试方法。本文件适用于由磁传感器和加速度传感器组成的电子罗盘,或单独由磁传感器组成的电子罗盘。本文件适用于移动电子设备用电子罗盘。
对于海洋电子罗盘的相关要求见ISO 11606。
本文件适用的电子罗盘种类包括两轴电子罗盘、三轴电子罗盘和六轴电子罗盘等。

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本文件界定了用于射频控制和选择的MEMS体声波谐振器、滤波器和双工器的术语和定义,给出了基本额定值和特性,描述了测试方法,用于评估和确定其性能。本文件规定了体声波谐振器、滤波器和双工器的试验方法和通用要求,用于能力批准程序或鉴定批准程序的质量评定。

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GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范 现行 发布日期 :  2006-10-10 实施日期 :  2007-02-01

本规范构成国际电工委员会电子元器件质量评定体系(IECQ)的一部分。 本规范是半导体器件(分立器件和集成电路,包括多片集成电路,但不包括混合电路)的总规范。 本规范规定了在IECQ体系内采用的质量评定的总程序,并给出了下述方面的总原则: ——电特性测试方法; ——气候和机械试验; ——耐久性试验。 注:当存在已批准的、适用于特定的一种或几种器件类型的分规范、族规范和空白详细规范时,必须用这些规范来补充本规范

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GB/T 4937.1-2006 半导体器件 机械和气候试验方法 第1部分:总则 现行 发布日期 :  2006-08-23 实施日期 :  2007-02-01

本部分适用于半导体器件(分立器件和集成电路)并为GB/T 4937系列的其他部分建立通用准则。 当本部分与相应的详细规范有矛盾时,以详细规范为准。

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GB/T 4937.13-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分:盐雾 现行 发布日期 :  2018-09-17 实施日期 :  2019-01-01

GB/T 4937的本部分规定了半导体器件的盐雾试验方法,以确定半导体器件耐腐蚀的能力。本试验是模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验。适用于工作在海上和沿海地区的器件。
本试验是破坏性试验。
本试验总体上符合IEC 60068-2-11,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。

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GB/T 4937的本部分规定了几种不同的试验方法,用来测定引线/封装界面和引线的牢固性。当电路板装配错误造成引线弯曲,为了重新装配对引线再成型加工时,进行此项试验。对于气密封装器件,建议在本试验之后按IEC 60749-8进行密封试验,以确定对引出端施加的应力是否对密封也造成了不良影响。
本部分的每一个试验条件,都是破坏性的,仅适用于鉴定试验。
本部分适用于所有需要用户进行引线成型处理的通孔式安装器件和表面安装器件。

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GB/T 4937的本部分规定了耐焊接热的试验方法,以确定通孔安装的固态封装器件承受波峰焊或烙铁焊接引线时产生的热应力的能力。
为制定具有可重复性的标准试验程序,选用试验条件较易控制的浸焊试验方法。本程序为确定器件组装到电路板时对所需焊接温度的耐受能力,要求器件的电性能不产生退化且内部连接无损伤。
本试验为破坏性试验,可以用于鉴定、批接收及产品检验。
本试验与IEC 60068-2-20基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。

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GB/T 4937.17-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分:中子辐照 现行 发布日期 :  2018-09-17 实施日期 :  2019-01-01

GB/T 4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用,是一种破坏性试验。试验目的如下:a)〓检测和测量半导体器件关键参数的退化与中子注量的关系;b)〓确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内(见第4章)。

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GB/T 4937的本部分对已封装的半导体集成电路和半导体分立器件进行60Co γ射线源电离辐射总剂量试验提供了一种试验程序。本部分提供了评估低剂量率电离辐射对器件作用的加速退火试验方法。这种退火试验对低剂量率辐射或者器件在某些应用情况下表现出时变效应的应用情形是比较重要的。本部分仅适用于稳态辐照,并不适用于脉冲型辐照。本部分主要针对军事或空间相关的应用。本试验可能会导致辐照器件的电性能产生严重退化,因而被认为是破坏性试验。

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GB/T 4937的本部分用来确定将半导体芯片安装在管座或其他基板上所使用的材料和工艺步骤的完整性(基于本试验方法的目的,本部分中半导体芯片包括无源元件)。本部分适用于空腔封装,也可作为过程监测。不适用于面积大于10 mm2的芯片,以及倒装芯片和易弯曲基板。

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GB/T 4937.2-2006 半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分:低气压 现行 发布日期 :  2006-08-23 实施日期 :  2007-02-01

本部分适用于半导体器件的低气压试验。本项试验的目的是测定元器件和材料避免电击穿失效的能力,而这种失效是由于气压减小时,空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本项试验仅适用于工作电压超过1 000 V的器件。 本项试验适用于所有的空封半导体器件。本试验仅适用于军事和空间领域。

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GB/T 4937.21-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分:可焊性 现行 发布日期 :  2018-09-17 实施日期 :  2019-01-01

GB/T 4937的本部分规定了采用铅锡焊料或无铅焊料进行焊接的元器件封装引出端的可焊性试验程序。
本试验方法规定了通孔、轴向和表面安装器件(SMDs)的“浸入和观察”可焊性试验程序,以及可选的SMDs板级安装可焊性试验程序,用于模拟在元器件使用时采用的焊接过程。本试验方法也规定了老化条件,该条件为可选。
除有关文件另有规定外,本试验属于破坏性试验。

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