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【国家标准】 半导体器件 金属化空洞应力试验

本网站 发布时间: 2025-12-05
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适用范围:

本文件描述了铝(Al)或铜(Cu)金属化空洞应力试验方法及相关判据。
本文件适用于半导体工艺的可靠性研究和鉴定。

基本信息

  • 标准号:

    GB/T 46717-2025

  • 标准名称:

    半导体器件 金属化空洞应力试验

  • 英文名称:

    Semiconductor devices—Metallization stress void test
  • 标准状态:

    即将实施
  • 发布日期:

    2025-10-31
  • 实施日期:

    2026-05-01
  • 出版语种:

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号:

    31.080.01
  • 中标分类号:

    L40

关联标准

  • 替代以下标准:

  • 被以下标准替代:

  • 引用标准:

  • 采用标准:

    《半导体器件 金属化空洞应力试验》 IDT 等同采用

出版信息

  • 页数:

    20 页
  • 字数:

    23 千字
  • 开本:

    大16 开

其他信息

  • 起草人:

    裴选、席善斌、杨俊锋、侯继儒、卫云、高东阳、尹丽晶、吴亚光、赵昱、柯佳键、任怀龙、肖庆中、龙秀才、程志勇、曲韩宾、高博、李潇龙、曲佳健、赵妍婷
  • 起草单位:

    中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、广州天极电子科技股份有限公司、中国核电工程有限公司河北分公司、广东科信电子有限公司、河北新华北集成电路有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、中山奥士森电子有限公司、深圳市微特精密科技股份有限公司、河北赛美科技有限公司
  • 归口单位:

    全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
  • 提出部门:

    中华人民共和国工业和信息化部
  • 发布部门:

    国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
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