本文件依据元器件和微电路对规定的人体模型（HBM）静电放电（ESD）所造成损伤或退化的敏感度，建立了元器件和微电路的ESD测试、评价和分级程序。本文件的目的是建立一种能够复现HBM失效的测试方法，并为不同类型的元器件提供可靠、可重复的HBM ESD测试结果，且测试结果不因测试设备而改变。重复性数据可以保证HBM ESD敏感度等级的准确划分及对比。半导体器件的ESD测试从本测试方法、机器模型（MM）测试方法（见IEC 6074927）或IEC 60749（所有部分）中的其他ESD测试方法中选择。除另有规定外，本测试方法为所选方法。

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本文件依据半导体器件对规定的机器模型(MM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度，建立了半导体器件ESD测试和分级的标准程序。本文件相对于人体模型ESD，用作一种可选的测试方法，目的是提供可靠、可重复的ESD测试结果，以此进行准确分级。本文件适用于半导体器件，属于破坏性试验。半导体器件的ESD测试从本文件、人体模型(HBM见GB/T 4937.26)或GB/T 4937系列中的其他测试方法中选择。MM与HBM测试的结果相似但不完全相同。除另有规定外，HBM测试方法为所选方法。

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GB/T 4937的本部分的目的是验证半导体器件的材料、设计、结构、标志和工艺质量是否符合适用的采购文件的要求。外部目检是非破坏性试验，适用于所有的封装类型。本试验用于鉴定检验、过程监控、批接收。

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本文件描述了一种确定半导体器件对热应力和机械应力耐受能力的方法，通过对器件内部芯片和连接结构施加循环耗散功率来实现。试验时，周期性施加和移除正向偏置（负载电流)，使其温度快速变化。本试验是模拟电力电子的典型应用，也是对高温工作寿命（见IEC 60749-23)的补充。其失效机理可能不同于空气对空气温度循环试验及双液槽法快速温变试验。本试验会导致损伤，是破坏性试验。

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GB/T 4937的本部分规定了强加速稳态湿热试验（HAST）方法，用于评价非气密封装半导体器件在潮湿的环境下的可靠性。

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本标准描述了有关传感器规范的基本条款，这些条款适用于由半导体材料制造的传感器，也适用于由其他材料（例如绝缘或铁电材料）所制造的传感器。

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本标准规定了测量绝压、表压和差压的半导体传感器的要求。

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本标准规定了半导体分立器件型号命名方法的组成原则、组成部分的符号及其意义。
本标准适用于各种半导体分立器件。

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本标准给出了以下门类分立器件的标准： ——变容二极管、阶跃二极管和快速开关肖特基二极管（用于调谐、上变频器或谐波倍频器、开关、限幅器、移相器、参量放大器等） ——混频二极管和检波二极管 ——雪崩二极管（用于谐波发生器、放大器等） ——体效应二极管（用于振荡器、放大器等） ——双极型晶体管（用于放大器、振荡器等） ——场效应晶体管（用于放大器、振荡器等）

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本部分规定了微波集成电路放大器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。

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本文件给出了下列几种类型双极型晶体管(微波晶体管除外)的有关要求：--小信号晶体管（开关和微波用除外）；--线性功率晶体管（开关、高频和微波用除外）；--放大和振荡用高频功率晶体管；--高速开关和电源开关用开关晶体管；--电阻偏置晶体管。

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