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本文件依据半导体器件对规定的机器模型(MM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了半导体器件ESD测试和分级的标准程序。本文件相对于人体模型ESD,用作一种可选的测试方法,目的是提供可靠、可重复的ESD测试结果,以此进行准确分级。本文件适用于半导体器件,属于破坏性试验。半导体器件的ESD测试从本文件、人体模型(HBM见GB/T 4937.26)或GB/T 4937系列中的其他测试方法中选择。MM与HBM测试的结果相似但不完全相同。除另有规定外,HBM测试方法为所选方法。

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GB/T 4937.3-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:外部目检 现行 发布日期 :  2012-11-05 实施日期 :  2013-02-15

GB/T 4937的本部分的目的是验证半导体器件的材料、设计、结构、标志和工艺质量是否符合适用的采购文件的要求。外部目检是非破坏性试验,适用于所有的封装类型。本试验用于鉴定检验、过程监控、批接收。

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GB/T 4937.34-2024 半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分:功率循环 现行 发布日期 :  2024-03-15 实施日期 :  2024-07-01

本文件描述了一种确定半导体器件对热应力和机械应力耐受能力的方法,通过对器件内部芯片和连接结构施加循环耗散功率来实现。试验时,周期性施加和移除正向偏置(负载电流),使其温度快速变化。本试验是模拟电力电子的典型应用,也是对高温工作寿命(见IEC 60749-23)的补充。其失效机理可能不同于空气对空气温度循环试验及双液槽法快速温变试验。本试验会导致损伤,是破坏性试验。

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GB/T 4937的本部分规定了强加速稳态湿热试验(HAST)方法,用于评价非气密封装半导体器件在潮湿的环境下的可靠性。

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GB/T 15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件 现行 发布日期 :  1995-07-24 实施日期 :  1996-04-01

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GB/T 17573-1998 半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则 现行 发布日期 :  1998-11-17 实施日期 :  1999-06-01

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GB/T 42706.2-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第2部分:退化机理 现行 发布日期 :  2023-05-23 实施日期 :  2023-09-01

本文件描述了电子元器件在实际贮存条件下随时间推移的退化机理和退化方式,以及评估一般退化机理的试验方法。通常本文件与IEC 624351一起使用,用于预计贮存时间超过12个月的长期贮存器件。特定类型电子元器件的退化机理在IEC 624355~IEC 624359中加以规定。

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GB/T 42709.19-2023 半导体器件 微电子机械器件 第19部分:电子罗盘 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2024-03-01

本文件界定了电子罗盘的术语和定义,规定了基本额定值和特性,描述了相应测试方法。本文件适用于由磁传感器和加速度传感器组成的电子罗盘,或单独由磁传感器组成的电子罗盘。本文件适用于移动电子设备用电子罗盘。
对于海洋电子罗盘的相关要求见ISO 11606。
本文件适用的电子罗盘种类包括两轴电子罗盘、三轴电子罗盘和六轴电子罗盘等。

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本文件界定了用于射频控制和选择的MEMS体声波谐振器、滤波器和双工器的术语和定义,给出了基本额定值和特性,描述了测试方法,用于评估和确定其性能。本文件规定了体声波谐振器、滤波器和双工器的试验方法和通用要求,用于能力批准程序或鉴定批准程序的质量评定。

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GB/T 29827-2013 信息安全技术 可信计算规范 可信平台主板功能接口 现行 发布日期 :  2013-11-12 实施日期 :  2014-02-01

本标准规定了可信平台主板的组成结构、信任链构建流程、功能接口。
本标准适用于基于可信平台控制模块的可信平台主板的设计、生产和使用。

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GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件 现行 发布日期 :  2006-10-10 实施日期 :  2007-02-01

本标准给出了以下门类分立器件的标准: ——变容二极管、阶跃二极管和快速开关肖特基二极管(用于调谐、上变频器或谐波倍频器、开关、限幅器、移相器、参量放大器等) ——混频二极管和检波二极管 ——雪崩二极管(用于谐波发生器、放大器等) ——体效应二极管(用于振荡器、放大器等) ——双极型晶体管(用于放大器、振荡器等) ——场效应晶体管(用于放大器、振荡器等)

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GB/T 20870.1-2007 半导体器件 第16-1部分:微波集成电路 放大器 现行 发布日期 :  2007-02-09 实施日期 :  2007-09-01

本部分规定了微波集成电路放大器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。

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GB/T 249-2017 半导体分立器件型号命名方法 现行 发布日期 :  2017-05-12 实施日期 :  2017-12-01

本标准规定了半导体分立器件型号命名方法的组成原则、组成部分的符号及其意义。
本标准适用于各种半导体分立器件。

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本文件规定了单个芯片、部分晶圆或整个晶圆,以及带金属结构(引入金属层、植球植柱等)芯片的贮存条件和规则,同时为含有芯片或晶圆的通用和专用封装产品提供了操作指导。
本文件适用于预计贮存时间超过12个月的芯片和晶圆的长期贮存。

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