中国标准在线服务网

微信公众号随时随地查标准

QQ交流1群(已满)

QQ群标准在线咨询2

QQ交流2群

购买标准后,可去我的标准下载或阅读

本文件确立了非易失性存储器(以下简称“器件”)根据鉴定规范进行有效的耐久性、数据保持和交叉温度试验的程序。耐久性和数据保持鉴定规范鉴定要求(针对循环计数、保持时间、温度和样本量)参考JESD47或者类似JESD94中的方法。

定价: 44元 / 折扣价: 38 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 4937.8-2025 半导体器件 机械和气候试验方法 第8部分:密封 即将实施 发布日期 :  2025-12-31 实施日期 :  2026-07-01

本文件适用于半导体器件(分立器件和集成电路)。
本试验方法的目的是检测半导体器件的漏率。

定价: 36元 / 折扣价: 31 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 4937.9-2026 半导体器件 机械和气候试验方法 第9部分:标志耐久性 即将实施 发布日期 :  2026-02-27 实施日期 :  2026-09-01

本文件的目的是确定固态半导体器件上的标志,在涂抹和去除标签、或使用溶剂和清洗液(通常用于去除印刷电路板制造过程中的焊剂残留)后是否仍清晰。
本文件适用于所有封装类型,用于鉴定和/或工艺监控。本试验是非破坏性的,电气或机械损伤能作为本试验的判据。
注1:本试验不适用于激光打标。
许多可用的溶剂或活性不够,或管控严格,或在直接接触或吸入烟雾时对人类有危险。
注2:相较常用的涂料和标志,本试验中使用的溶剂成分被认为是典型和具有代表性的。

定价: 33元 / 折扣价: 29 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 42706.8-2026 电子元器件 半导体器件长期贮存 第8部分:无源电子器件 即将实施 发布日期 :  2026-02-27 实施日期 :  2026-09-01

本文件适用于长期贮存的无源电子器件,能作为延缓淘汰策略的一部分。长期贮存是指产品预计贮存时间超过12个月的贮存。通常原始供应商将产品贴上包装日期或日期代码后才开始贮存。经销商和客户都有责任在收到标有日期的产品后控制和管理库存,或者建立供应商-客户协议来管理库存。本文件提供了有效进行无源电子器件长期贮存的原则、良好工作实践和一般方法。

定价: 44元 / 折扣价: 38 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 249-2026 半导体分立器件型号命名方法 即将实施 发布日期 :  2026-02-27 实施日期 :  2026-09-01

本文件规定了半导体分立器件型号的命名方法。
本文件适用于各种半导体分立器件的型号命名。

定价: 28元 / 折扣价: 24 加购物车

在线阅读 收 藏

本文件适用于处于自由态和组装到印制电路板上的半导体器件,以确定器件和印制板组件承受中等严酷程度冲击的适应能力。印制板组装是一种在组装到印制电路板的使用条件下,试验器件耐机械冲击能力的方法。机械冲击由突然施加的力,及装卸、运输或现场操作中的突然受力而产生,这种类型的冲击可能破坏工作特性,特别是在冲击脉冲重复的情况下。本试验适用于器件鉴定的破坏性试验。

定价: 44元 / 折扣价: 38 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 4937.29-2025 半导体器件 机械和气候试验方法 第29部分:闩锁试验 即将实施 发布日期 :  2025-12-02 实施日期 :  2026-07-01

本文件描述了集成电路的电流和过电压闩锁试验方法。
本试验是破坏性试验。
本试验的目的是建立一种判断集成电路闩锁特性的方法和规定闩锁的失效判据。闩锁特性用来判断产品的可靠性,并减少由于闩锁引起的无法定位故障(NTF)和过电应力(EOS)失效。
本试验方法主要适用于互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,若应用于其他工艺技术则需另行确认适用性。
闩锁试验根据温度的分类见4.1,失效等级判据见4.2。

定价: 56元 / 折扣价: 48 加购物车

在线阅读 收 藏

无偏置高压蒸煮试验是利用潮气冷凝或饱和蒸汽来评价非气密封装固态器件的耐湿性。本试验为强加速试验,在冷凝条件下通过压力、湿度和温度加速潮气穿透外部保护材料(包封或密封)或外部保护材料和金属导体的交接面。
本文件适用于确认封装内部失效机理,为破坏性试验。

定价: 33元 / 折扣价: 29 加购物车

在线阅读 收 藏

本文件描述了带存储的半导体器件工作在高能粒子环境下(如阿尔法辐射)的软错误敏感性的试验方法。本文件包含了两种试验方法,分别为利用阿尔法粒子辐射源的加速试验和自然辐射环境下(如阿尔法粒子或中子)导致错误的(非加速)实时系统试验。
为了全面表征带存储半导体器件的软错误特性,还需要依照其他试验方法开展宽能谱高能中子和热中子试验。
本试验方法适用于所有带存储的半导体器件。

定价: 36元 / 折扣价: 31 加购物车

在线阅读 收 藏

本文件描述了一种评估和比较加速试验环境中手持电子产品应用的表面安装半导体器件跌落性能的试验方法,其中电路板过度弯曲会导致产品失效。目的是使试验方法标准化,以提供表面安装半导体器件跌落试验性能的可再现性评估,同时复现产品级试验期间常见的失效模式。
本文件适用于使用应变仪测量器件附近电路板的应变和应变率。IEC 60749-37适用于使用加速度计测量施加的机械冲击持续时间和强度,该强度与安装在标准板上的给定器件所受的应力成比例。详细规范中说明使用哪种试验方法。
注1:尽管本试验能评估由安装方式及其条件、印刷电路板(PCB)设计、焊接材料以及半导体器件的安装能力等结合在一起的结构,但不能单独评估半导体器件的安装能力。
注2:本试验的结果受到不同焊接条件、PCB焊盘图案设计和焊接材料等影响比较大。因此,本试验不能从根本上保证半导体器件焊点的可靠性。
注3:当本试验产生的机械应力在器件实际使用中不会发生时,本试验不适用。

定价: 59元 / 折扣价: 51 加购物车

在线阅读 收 藏

本文件描述了一种测量高密度集成电路单粒子效应(SEE)的试验方法,包括带存储的半导体器件在受到宇宙射线产生的大气中子辐照时的数据保持能力。通过已知注量率的中子辐照测量得到半导体器件的单粒子效应敏感性。该试验方法适用于任何种类集成电路。
注1: 高压半导体器件也会产生单粒子效应,包括单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)等,本文件不包括此部分内容,请参考IEC 62396-4。
注2: 除高能中子外,能量小于1 eV的热中子也能导致部分器件产生软错误,本文件不包括此部分内容,请参考IEC 62396-5。

定价: 43元 / 折扣价: 37 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 20521.5-2025 半导体器件 第14-5部分:半导体传感器 PN结半导体温度传感器 即将实施 发布日期 :  2025-12-02 实施日期 :  2026-07-01

本文件规定了PN结温度传感器的标志、基本额定值、特性。
本文件适用于半导体PN结温度传感器,描述了相应的能用来确定各类PN结温度传感器的特性。

定价: 44元 / 折扣价: 38 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 12300-1990 功率晶体管安全工作区测试方法 现行 发布日期 :  1990-01-10 实施日期 :  1990-08-01

定价: 28元 / 折扣价: 24 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 12560-1999 半导体器件 分立器件分规范 现行 发布日期 :  1999-08-02 实施日期 :  2000-03-01

定价: 44元 / 折扣价: 38 加购物车

在线阅读 收 藏
GB/T 20521-2006 半导体器件 第14-1部分:半导体传感器——总则和分类 现行 发布日期 :  2006-08-23 实施日期 :  2007-02-01

本标准描述了有关传感器规范的基本条款,这些条款适用于由半导体材料制造的传感器,也适用于由其他材料(例如绝缘或铁电材料)所制造的传感器。

定价: 33元 / 折扣价: 29 加购物车

在线阅读 收 藏
84 条记录,每页 15 条,当前第 2 / 6 页 第一页 | 上一页 | 下一页 | 最末页  |     转到第   页