【国家标准】半导体器件　机械和气候试验方法　第29部分：闩锁试验

本网站发布时间： 2026-01-09

GB/T 4937.29-2025
即将实施
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标准简介

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适用范围：

本文件描述了集成电路的电流和过电压闩锁试验方法。
本试验是破坏性试验。
本试验的目的是建立一种判断集成电路闩锁特性的方法和规定闩锁的失效判据。闩锁特性用来判断产品的可靠性，并减少由于闩锁引起的无法定位故障(NTF)和过电应力(EOS)失效。
本试验方法主要适用于互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，若应用于其他工艺技术则需另行确认适用性。
闩锁试验根据温度的分类见4.1，失效等级判据见4.2。

基本信息

标准号：
GB/T 4937.29-2025
标准名称：
半导体器件　机械和气候试验方法　第29部分：闩锁试验
英文名称：
Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 29:Latch-up test
标准状态：
即将实施
发布日期：
2025-12-02
实施日期：
2026-07-01
出版语种：
中文简体

标准分类号

标准ICS号：
31.080.01
中标分类号：
L40

关联标准

替代以下标准：
被以下标准替代：
引用标准：
采用标准：
《半导体器件　机械和气候试验方法　第29部分:闩锁试验》 IDT 等同采用

出版信息

页数：
28 页
字数：
42 千字
开本：
大16 开

其他信息

起草人：
来萍、肖庆中、师谦、恩云飞、周圣泽、路国光、赖灿雄、赵东艳、徐平江、单书珊、高斌、汪良恩、李明钢、邓海峰
起草单位：
工业和信息化部电子第五研究所、北京智芯微电子科技有限公司、广州七喜智能设备有限公司、安徽安芯电子科技股份有限公司、深圳市金誉半导体股份有限公司、山东省中智科标准化研究院有限公司
归口单位：
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
提出部门：
中华人民共和国工业和信息化部
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

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