本文件规定了利用霍尔效应工作的封装的半导体霍尔元件的要求。
本文件适用于利用霍尔效应工作的封装的半导体霍尔元件。

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本文件规定了加速度计的特性、基本额定值，描述了相应的测量方法。
本文件适用于所有类型的半导体加速度计产品。
本文件不仅适用于典型内置电路的半导体加速度计，也适用于外置电路的半导体加速度计。
本文件不违反（或妨碍）客户和供应商之间以新业务模型或业务数据签订的商业协议。

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本文件描述了铝（Al)或铜（Cu)金属化空洞应力试验方法及相关判据。
本文件适用于半导体工艺的可靠性研究和鉴定。

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本文件规定了半导体器件表面锡基镀涂的环境接收试验和延缓锡须生长的方法。本方法可能不能满足有特定需求的应用(如：军用、航天等)，在合适的要求或采购文件中规定补充要求。
本文件不适用于只有底部引出端的半导体器件(如：方形扁平无引线和球栅阵列器件、倒装芯片凸点引出端)，由于这类器件在组装过程中引出端全部镀层表面会被浸润。
使用本文件时，同时满足第7章的报告要求。

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本文件确立了一种用于确定金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs)的氧化层中可动正电荷数量的晶圆级测试程序。
本文件适用于有源场效应晶体管和寄生场效应晶体管。可动电荷会引起半导体器件退化，例如改变MOSFETs的阈值电压或使双极型晶体管基极反型。

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本文件描述了空腔器件内存在自由粒子的检测方法，如陶瓷碎片、残余键合引线或焊料球（金属颗粒)。
本试验是非破坏性试验。

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本文件用于评价非气密封装固态器件在潮湿环境下的可靠性。
本方法为强加速试验，是在没有冷凝的条件下通过温度和湿度加速潮气穿透外部保护材料（包封或密封)或外部保护材料和金属导体的交接面。本方法不施加偏置，以确保潜在的失效机理不能由偏置造成（例如电化学腐蚀)。
本试验用于确定封装内部的失效机理，是一种破坏性试验。
注：本方法是对1996年版IEC 60749中第3章的4c条的试验重新编写（无偏置电压)。

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本文件描述了确定半导体器件、元件及电路板组件承受由极限高温和极限低温交变作用引发机械应力的能力。该机械应力能导致其电性能或物理性能发生永久性变化。
本文件总体符合IEC 60068-2-14，但由于半导体器件的特殊要求，使用本文件的条款。
本试验方法可采用单箱法、两箱法和三箱法，用于单个元器件和焊点互连的温度循环试验。进行单箱法温度循环时，负载置于固定的试验箱内，试验箱内引入热空气、周围空气或冷空气，加热或冷却负载。进行两箱法温度循环时，负载置于可移动平台，该平台在两个维持设定温度的固定试验箱之间移动。进行三箱法温度循环时，负载在三个试验箱之间移动。

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本文件描述了空腔半导体器件稳态加速度的试验方法。本试验的目的是检测那些不是一定要通过冲击和振动来检测的结构和机械类型的缺陷。它作为高应力（破坏性）试验来测定封装、内部金属化和引线系统、芯片或基板的焊接以及微电子器件其他构成部分的机械强度极限值。如果确定了适当的应力强度，本试验方法可用作生产线非破坏性的100%筛选试验，用以检测和剔除构成单元机械强度低于正常值的器件。
除另有规定外，本文件条款与IEC 60068-2-7一致。

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本文件描述了一个在加速试验环境中评估和比较手持电子产品中表面安装器件跌落性能的试验方法，跌落试验过程中电路板过大弯曲会引起电子产品的失效。本文件目的是使试验电路板和试验方法标准化，能提供对表面安装器件跌落试验的可重复评估，使在产品级测试中可得到相同的失效模式。本文件规定了一个标准的试验方法和报告要求。本文件与器件鉴定试验、判定手持电子产品合格与否的系统级跌落试验、模拟运输和搬运器件或印制电路板组件产生的相关振动试验不同，例如GB/T 4937.10-2025中规定了这些试验的方法要求。本方法适用于面阵列封装和四边引线表面安装封装。本试验方法使用加速度计测量机械冲击的持续时间和振幅，振幅与安装在标准板上的给定器件的力的大小成比例。IEC 6074940中描述了一种使用应变仪测量器件周边电路板的应变和应变率的试验方法。详细规范说明使用的试验方法。

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本文件描述了应用于半导体器件封装用有机材料的潮气扩散率和水溶解度的测量方法。
潮气扩散率和水溶解度两个参数是有效表征塑封半导体器件暴露于潮湿环境和经受高温回流焊之后可靠性的重要参数。

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本文件适用于半导体器件(分立器件和集成电路)。
本试验方法的目的是检测半导体器件的漏率。

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本文件规定了PN结温度传感器的标志、基本额定值、特性。
本文件适用于半导体PN结温度传感器，描述了相应的能用来确定各类PN结温度传感器的特性。

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本文件适用于处于自由态和组装到印制电路板上的半导体器件，以确定器件和印制板组件承受中等严酷程度冲击的适应能力。印制板组装是一种在组装到印制电路板的使用条件下，试验器件耐机械冲击能力的方法。机械冲击由突然施加的力，及装卸、运输或现场操作中的突然受力而产生，这种类型的冲击可能破坏工作特性，特别是在冲击脉冲重复的情况下。本试验适用于器件鉴定的破坏性试验。

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本文件描述了集成电路的电流和过电压闩锁试验方法。
本试验是破坏性试验。
本试验的目的是建立一种判断集成电路闩锁特性的方法和规定闩锁的失效判据。闩锁特性用来判断产品的可靠性，并减少由于闩锁引起的无法定位故障(NTF)和过电应力(EOS)失效。
本试验方法主要适用于互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，若应用于其他工艺技术则需另行确认适用性。
闩锁试验根据温度的分类见4.1，失效等级判据见4.2。

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