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GB/T 45718-2025 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验 即将实施 发布日期 :  2025-05-30 实施日期 :  2025-09-01

本文件描述了半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)的试验方法、测试结构和寿命时间估算方法。

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GB/T 45719-2025 半导体器件 金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验 即将实施 发布日期 :  2025-05-30 实施日期 :  2025-09-01

本文件描述了晶圆级的NMOS和PMOS晶体管热载流子试验方法,该试验旨在确定某个CMOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间。

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GB/T 45721.1-2025 半导体器件 应力迁移试验 第1部分:铜应力迁移试验 即将实施 发布日期 :  2025-05-30 实施日期 :  2025-09-01

本文件规定了一种恒温老化方法,该方法用于试验微电子晶圆上的铜(Cu)金属化测试结构对应力诱生空洞(SIV)的敏感性。该方法将主要在产品的晶圆级工艺开发过程中进行,其结果将用于寿命预测和失效分析。在某些情况下,该方法能应用于封装级试验。由于试验时间长,此方法不适用于产品批次性交付检查。
双大马士革铜金属化系统通常在蚀刻到介电层的沟槽的底部和侧面具有内衬,例如钽(Ta)或氮化钽(TaN)。因此,对于单个通孔接触下面宽线的结构,通孔下方空洞引起的阻值漂移达到失效判据规定的某一百分比时,将会瞬间导致开路失效。

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GB/T 45722-2025 半导体器件 恒流电迁移试验 即将实施 发布日期 :  2025-05-30 实施日期 :  2025-09-01

本文件描述了金属互连线、连接通孔链和接触孔链的常规恒流电迁移试验方法。

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本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。

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GB/T 12300-1990 功率晶体管安全工作区测试方法 现行 发布日期 :  1990-01-10 实施日期 :  1990-08-01

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GB/T 12560-1999 半导体器件 分立器件分规范 现行 发布日期 :  1999-08-02 实施日期 :  2000-03-01

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GB/T 42706.2-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第2部分:退化机理 现行 发布日期 :  2023-05-23 实施日期 :  2023-09-01

本文件描述了电子元器件在实际贮存条件下随时间推移的退化机理和退化方式,以及评估一般退化机理的试验方法。通常本文件与IEC 624351一起使用,用于预计贮存时间超过12个月的长期贮存器件。特定类型电子元器件的退化机理在IEC 624355~IEC 624359中加以规定。

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GB/T 42709.19-2023 半导体器件 微电子机械器件 第19部分:电子罗盘 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2024-03-01

本文件界定了电子罗盘的术语和定义,规定了基本额定值和特性,描述了相应测试方法。本文件适用于由磁传感器和加速度传感器组成的电子罗盘,或单独由磁传感器组成的电子罗盘。本文件适用于移动电子设备用电子罗盘。
对于海洋电子罗盘的相关要求见ISO 11606。
本文件适用的电子罗盘种类包括两轴电子罗盘、三轴电子罗盘和六轴电子罗盘等。

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本文件界定了用于射频控制和选择的MEMS体声波谐振器、滤波器和双工器的术语和定义,给出了基本额定值和特性,描述了测试方法,用于评估和确定其性能。本文件规定了体声波谐振器、滤波器和双工器的试验方法和通用要求,用于能力批准程序或鉴定批准程序的质量评定。

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GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范 现行 发布日期 :  2006-10-10 实施日期 :  2007-02-01

本规范构成国际电工委员会电子元器件质量评定体系(IECQ)的一部分。 本规范是半导体器件(分立器件和集成电路,包括多片集成电路,但不包括混合电路)的总规范。 本规范规定了在IECQ体系内采用的质量评定的总程序,并给出了下述方面的总原则: ——电特性测试方法; ——气候和机械试验; ——耐久性试验。 注:当存在已批准的、适用于特定的一种或几种器件类型的分规范、族规范和空白详细规范时,必须用这些规范来补充本规范

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GB/T 20521-2006 半导体器件 第14-1部分:半导体传感器——总则和分类 现行 发布日期 :  2006-08-23 实施日期 :  2007-02-01

本标准描述了有关传感器规范的基本条款,这些条款适用于由半导体材料制造的传感器,也适用于由其他材料(例如绝缘或铁电材料)所制造的传感器。

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GB/T 20522-2006 半导体器件 第14-3部分:半导体传感器——压力传感器 现行 发布日期 :  2006-08-23 实施日期 :  2007-02-01

本标准规定了测量绝压、表压和差压的半导体传感器的要求。

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GB/T 15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件 现行 发布日期 :  1995-07-24 实施日期 :  1996-04-01

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GB/T 17573-1998 半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则 现行 发布日期 :  1998-11-17 实施日期 :  1999-06-01

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