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GB/T 16464-1996 半导体器件 集成电路 第1部分:总则 现行 发布日期 :  1996-07-09 实施日期 :  1997-01-01

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GB/T 16465-1996 膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用能力批准程序〕 现行 发布日期 :  1996-07-09 实施日期 :  1997-01-01

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GB/T 26112-2010 微机电系统(MEMS)技术 微机械量评定总则 现行 发布日期 :  2011-01-10 实施日期 :  2011-10-01

本标准规定了微机械量的评定基本原则、评定要素、评定程序、评定方法以及评定规则。
本标准适用于企业、研究机构、检测机构从事微机电技术及产品的研究、设计、生产、检测及使用。

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GB/T 12842-1991 膜集成电路和混合膜集成电路术语 现行 发布日期 :  1991-04-27 实施日期 :  1991-12-01

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GB/T 14029-1992 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理 现行 发布日期 :  1992-12-18 实施日期 :  1993-08-01

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GB/T 14031-1992 半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理 现行 发布日期 :  1992-12-18 实施日期 :  1993-08-01

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GB/T 14113-1993 半导体集成电路封装术语 现行 发布日期 :  1993-01-21 实施日期 :  1993-08-01

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GB/T 32817-2016 半导体器件 微机电器件 MEMS总规范 现行 发布日期 :  2016-08-29 实施日期 :  2017-03-01

本标准描述了用半导体制造的微机电系统(MEMS)的总规范,规定了用于IECQCECC体系质量评定的一般规程,给出了电、光、机械和环境特性的描述和测试的总则。本标准适用于各类MEMS器件[如传感器、射频MEMS,但不包括光MEMS、生物MEMS、微全分析系统(MicroTAS)和微能源MEMS]。

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GB/T 33922-2017 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法 现行 发布日期 :  2017-07-12 实施日期 :  2018-02-01

本标准规定了MEMS压阻式压力敏感芯片(简称压力敏感芯片)的术语和定义、试验条件、试验的一般规定、试验内容和方法。本标准适用于闭环和开环MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验。

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GB/T 33929-2017 MEMS高g值加速度传感器性能试验方法 现行 发布日期 :  2017-07-12 实施日期 :  2018-02-01

本标准规定了MEMS高g值加速度传感器的电气性能和基本性能的术语和定义、试验条件、试验的一般规定、试验项目及方法。本标准适用于量程在1×104g~2×105g范围的MEMS高g值加速度传感器(以下简称加速度传感器)性能试验。

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本标准规定了基于光学干涉显微镜获取MEMS微结构表面形貌进行面内长度测量的方法。本标准适用于表面反射率不低于4%,宽深比不低于1∶10,且使用光学干涉显微镜能够获取形貌的MEMS微结构。

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本标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微悬臂梁结构表面形貌进行应变梯度测量的方法。本标准适用于表面反射率不低于4%且使用光学干涉显微镜能够获取表面形貌的微悬臂梁结构。

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本标准规定了谐振式传感器中MEMS谐振敏感元件(以下简称敏感元件)非线性振动特性参数的测试方法。本标准适用于敏感元件在研制和生产过程中关于非线性振动特性和敏感元件闭环系统频率偏移的测试,其他非MEMS敏感元件可参考使用。

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本标准规定了拉曼光谱法测定微机电系统(MEMS)结构表面残余应力、相对静态应力、相对动态应力的方法。本标准适用于微机电系统(MEMS)结构表面残余应力、相对静态应力、相对动态应力的拉曼光谱法测试。

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