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GB/T 43931-2024 宇航用微波集成电路芯片通用规范 现行 发布日期 :  2024-06-29 实施日期 :  2024-10-01

本文件规定了宇航用微波集成电路芯片的技术要求、质量保证规定和交货准备。本文件适用于宇航用微波集成电路芯片(以下简称“芯片”)的设计、生产和产品质量保证。

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GB/T 43939-2024 宇航用石英挠性加速度计伺服电路通用测试方法 现行 发布日期 :  2024-04-25 实施日期 :  2024-08-01

本文件描述了石英挠性加速度计伺服电路(以下简称“电路”)参数测试方法。本文件适用于石英挠性加速度计伺服电路参数的测试,其他加速度计伺服电路参照使用。

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GB/T 32814-2016 硅基MEMS制造技术 基于SOI硅片的MEMS工艺规范 现行 发布日期 :  2016-08-29 实施日期 :  2017-03-01

本标准规定了采用SOI硅片进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。
本标准适用于硅基MEMS制造技术中基于SOI硅片的MEMS器件的加工和质量检验。

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GB/T 32815-2016 硅基MEMS制造技术 体硅压阻加工工艺规范 现行 发布日期 :  2016-08-29 实施日期 :  2017-03-01

本标准规定了采用体硅压阻工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。
本标准适用于硅基MEMS制造技术中基于背腔腐蚀和硅玻璃键合的体硅压阻加工工艺的加工和质量检验。

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GB/T 32816-2016 硅基MEMS制造技术 以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范 现行 发布日期 :  2016-08-29 实施日期 :  2017-03-01

本标准规定了采用以深刻蚀与键合为核心的工艺集成进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。本标准适用于基于以深刻蚀与键合为核心的工艺集成的加工和质量检验。

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GB/T 43536.1-2023 三维集成电路 第1部分:术语和定义 现行 发布日期 :  2023-12-28 实施日期 :  2024-04-01

本文件界定了基于硅通孔(TSV)或凸点实现堆叠芯片的多芯片集成电路的术语和定义。
本文件适用于基于硅通孔(TSV)或凸点实现堆叠芯片的多芯片集成电路的制造和测试。

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GB/T 43538-2023 集成电路金属封装外壳质量技术要求 现行 发布日期 :  2023-12-28 实施日期 :  2024-07-01

本文件规定了集成电路金属封装外壳的材料、镀覆、设计和结构、电特性、外观质量及环境适应性等方面的技术要求和检验方法。
本文件适用于集成电路金属封装外壳(以下简称“外壳”)的研制、生产、交付和使用。

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GB/T 43940-2024 4 Mb/s数字式时分制指令/响应型多路传输数据总线测试方法 现行 发布日期 :  2024-04-25 实施日期 :  2024-08-01

本文件描述了4 Mb/s数字式时分制指令/响应型多路传输数据总线电气性能测试和协议测试的测试方法。本文件适用于4 Mb/s数字式时分制指令/响应型多路传输数据总线的器件、板卡、设备、子系统或系统的测试。

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GB/T 26112-2010 微机电系统(MEMS)技术 微机械量评定总则 现行 发布日期 :  2011-01-10 实施日期 :  2011-10-01

本标准规定了微机械量的评定基本原则、评定要素、评定程序、评定方法以及评定规则。
本标准适用于企业、研究机构、检测机构从事微机电技术及产品的研究、设计、生产、检测及使用。

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GB/T 28274-2012 硅基MEMS制造技术 版图设计基本规则 现行 发布日期 :  2012-05-11 实施日期 :  2012-12-01

本标准规定了微结构加工时,光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则。
本标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积(PVD)、离子注入、反应离子刻蚀(RIE)、氢氧化钾(KOH)腐蚀、硅玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。

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GB/T 28275-2012 硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范 现行 发布日期 :  2012-05-11 实施日期 :  2012-12-01

本标准规定了采用氢氧化钾腐蚀工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求。
本标准适用于氢氧化钾腐蚀工艺和管理。

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GB/T 28276-2012 硅基MEMS制造技术 体硅溶片工艺规范 现行 发布日期 :  2012-05-11 实施日期 :  2012-12-01

本标准规定了采用体硅溶片加工工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和工艺评价规范。
本标准适用于体硅溶片工艺的加工和质量检验。

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GB/T 28277-2012 硅基MEMS制造技术 微键合区剪切和拉压强度检测方法 现行 发布日期 :  2012-05-11 实施日期 :  2012-12-01

本标准规定了硅基MEMS加工过程中所涉及的微小键合区域键合强度检测的要求和试验方法。
本标准适用于采用微电子工艺及相关微细加工技术制造的微小键合区的剪切和拉压强度测试。

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本文件规定了利用柱状试样测量微尺寸单元与衬底间黏结强度的试验方法。本文件适用于对衬底上宽度和厚度分别介于1 μm~1 mm的微结构进行黏结强度测试。MEMS 器件的微尺寸单元是由通过淀积、电镀、涂胶、光刻等工艺在衬底上制作出的层叠精细薄膜图形组成的。MEMS器件包含大量不同材料间的界面,在制造或使用过程中这些界面偶尔会发生分层。连接界面处的材料结合性决定了黏结强度,此外,界面附近的缺陷和残余应力会随工艺条件的变化而变化,极大地影响黏结强度。本文件规定了微尺寸单元的黏结强度试验方法,以便于优选MEMS器件的材料和工艺条件。由于组成MEMS器件的材料和尺寸范围非常广泛,用于测量微尺寸单元的仪器也未被全面推广,本文件没有对试样的材料、尺寸和性能做出特别限制。

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GB/T 43027-2023 高压电源变换器模块测试方法 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-01-01

本文件描述了具有直流/直流(DC/DC)变换功能的高压输入电源变换器模块主要电参数测试方法。本文件适用于各类电子设备中高压输入电源变换器模块(以下简称电源模块)的主要电参数测试,输入高压范围为500 V以下。其他具有DC/DC变换功能的器件可参考使用。

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