【国家标准】半导体器件　栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验

本网站发布时间： 2025-09-01

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标准简介

本文件描述了半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验方法以及TDDB失效的产品寿命时间估算方法。

标准号：
GB/T 45720-2025
标准名称：
半导体器件　栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验
英文名称：
Semiconductor devices—Time dependent dielectric breakdown(TDDB)test for gate dielectric films
标准状态：
现行
发布日期：
2025-05-30
实施日期：
2025-09-01
出版语种：
中文简体

起草人：
陈义强、来萍、高汭、蔡荣敢、冯宇翔、王力纬、董显山、肖庆中、陈媛、常江、刘岳阳、刘岗岗、裴选、张亮旗、冯军宏、迟雷、夏自金、刘世文
起草单位：
工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、安徽长麦智能科技有限公司、中国科学院半导体研究所、广东汇芯半导体有限公司、贵州振华风光半导体股份有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、东莞赛诺高德蚀刻科技有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳市森美协尔科技有限公司
归口单位：
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)
提出部门：
中华人民共和国工业和信息化部
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

【国家标准】 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验