【国家标准】半导体器件　微机电器件　晶圆间键合强度测量

本网站发布时间： 2022-11-03

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标准简介

本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法，适用于硅硅共熔键合、硅玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式，以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。
本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。

标准号：
GB/T 41853-2022
标准名称：
半导体器件　微机电器件　晶圆间键合强度测量
英文名称：
Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Wafer to wafer bonding strength measurement
标准状态：
现行
发布日期：
2022-10-12
实施日期：
2022-10-12
出版语种：
中文简体

起草人：
李倩王伟强顾枫李根梓翟晓飞何凯旋田松杰刘建生崔波武斌汪蔚高峰王冲
起草单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所、河北美泰电子科技有限公司、中机生产力促进中心有限公司、华东光电集成器件研究所、杭州左蓝微电子技术有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、明石创新(烟台)微纳传感技术研究院有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
归口单位：
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
提出部门：
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

【国家标准】 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量