【国家标准】半导体器件　微机电器件　晶圆间键合强度测量

本网站发布时间： 2022-11-03

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标准简介

本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法，适用于硅硅共熔键合、硅玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式，以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。
本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。

标准号：
GB/T 41853-2022
标准名称：
半导体器件　微机电器件　晶圆间键合强度测量
英文名称：
Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Wafer to wafer bonding strength measurement
标准状态：
现行
发布日期：
2022-10-12
实施日期：
2022-10-12
出版语种：
中文简体

起草人：
李倩、王伟强、顾枫、李根梓、翟晓飞、何凯旋、田松杰、刘建生、崔波、武斌、汪蔚、高峰、王冲
起草单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所、河北美泰电子科技有限公司、中机生产力促进中心有限公司、华东光电集成器件研究所、杭州左蓝微电子技术有限公司、深圳市美思先端电子有限公司、明石创新(烟台)微纳传感技术研究院有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
归口单位：
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
提出部门：
全国微机电技术标准化技术委员会(SAC/TC 336)
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

【国家标准】 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量