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本标准描述了用半导体制造的微机电系统(MEMS)的总规范,规定了用于IECQCECC体系质量评定的一般规程,给出了电、光、机械和环境特性的描述和测试的总则。本标准适用于各类MEMS器件[如传感器、射频MEMS,但不包括光MEMS、生物MEMS、微全分析系统(MicroTAS)和微能源MEMS]。
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本标准规定了MEMS压阻式压力敏感芯片(简称压力敏感芯片)的术语和定义、试验条件、试验的一般规定、试验内容和方法。本标准适用于闭环和开环MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验。
本标准规定了MEMS高g值加速度传感器的电气性能和基本性能的术语和定义、试验条件、试验的一般规定、试验项目及方法。本标准适用于量程在1×104g~2×105g范围的MEMS高g值加速度传感器(以下简称加速度传感器)性能试验。
本标准规定了基于光学干涉显微镜获取MEMS微结构表面形貌进行面内长度测量的方法。本标准适用于表面反射率不低于4%,宽深比不低于1∶10,且使用光学干涉显微镜能够获取形貌的MEMS微结构。
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本标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微悬臂梁结构表面形貌进行应变梯度测量的方法。本标准适用于表面反射率不低于4%且使用光学干涉显微镜能够获取表面形貌的微悬臂梁结构。
本标准规定了谐振式传感器中MEMS谐振敏感元件(以下简称敏感元件)非线性振动特性参数的测试方法。本标准适用于敏感元件在研制和生产过程中关于非线性振动特性和敏感元件闭环系统频率偏移的测试,其他非MEMS敏感元件可参考使用。
本标准规定了拉曼光谱法测定微机电系统(MEMS)结构表面残余应力、相对静态应力、相对动态应力的方法。本标准适用于微机电系统(MEMS)结构表面残余应力、相对静态应力、相对动态应力的拉曼光谱法测试。
本标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微双端固支梁结构表面形貌进行残余应变测量的方法。本标准适用于表面反射率不低于4%且使用光学干涉显微镜能够获取表面形貌的微双端固支梁结构。
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GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用,半导体芯片产品包括:●〓晶圆;●〓单个裸芯片;●〓带有互连结构的芯片和晶圆;●〓最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了所需的电仿真信息,目的在于促进电子数据、电子系统电学行为和功能验证仿真模型的使用。电子系统包括带或不带互连结构的半导体裸芯片,和(或)最小封装的半导体芯片。本部分是为了使芯片产品供应链中所有的环节都满足IEC 622581和IEC 622582的要求。
GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用。其中半导体芯片产品包括:--晶圆;--单个裸芯片;--带有互连结构的芯片与晶圆;--最小或部分封装的芯片与晶圆。本部分规定了一种XML格式,该格式定义了数据交换所需的元素,满足IEC 622581、IEC 622585、IEC 622586的实施要求,同时对IEC 622582中定义的交换结构进行补充。本部分也补充并兼容IEC/TR 622584中的调查表。
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