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本标准描述了用半导体制造的微机电系统(MEMS)的总规范,规定了用于IECQCECC体系质量评定的一般规程,给出了电、光、机械和环境特性的描述和测试的总则。本标准适用于各类MEMS器件[如传感器、射频MEMS,但不包括光MEMS、生物MEMS、微全分析系统(MicroTAS)和微能源MEMS]。
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本标准规定了MEMS压阻式压力敏感芯片(简称压力敏感芯片)的术语和定义、试验条件、试验的一般规定、试验内容和方法。本标准适用于闭环和开环MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验。
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本标准规定了MEMS高g值加速度传感器的电气性能和基本性能的术语和定义、试验条件、试验的一般规定、试验项目及方法。本标准适用于量程在1×104g~2×105g范围的MEMS高g值加速度传感器(以下简称加速度传感器)性能试验。
本标准规定了微结构加工时,光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则。 本标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积(PVD)、离子注入、反应离子刻蚀(RIE)、氢氧化钾(KOH)腐蚀、硅玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。
本标准规定了采用氢氧化钾腐蚀工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求。 本标准适用于氢氧化钾腐蚀工艺和管理。
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本标准规定了采用体硅溶片加工工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和工艺评价规范。 本标准适用于体硅溶片工艺的加工和质量检验。
本标准规定了硅基MEMS加工过程中所涉及的微小键合区域键合强度检测的要求和试验方法。 本标准适用于采用微电子工艺及相关微细加工技术制造的微小键合区的剪切和拉压强度测试。
本文件描述了4 Mb/s数字式时分制指令/响应型多路传输数据总线电气性能测试和协议测试的测试方法。本文件适用于4 Mb/s数字式时分制指令/响应型多路传输数据总线的器件、板卡、设备、子系统或系统的测试。
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本文件规定了集成电路三维封装中使用引线键合工艺及倒装工艺进行的芯片叠层工艺过程和评价要求。 本文件适用于集成电路三维封装中使用引线键合及倒装工艺进行叠层的电路。
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本文件规定了12 in及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺(以下简称划片工艺)的一般要求、详细要求和评价要求。 注: 1 in=2.54 cm。 本文件适用于12 in及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺。
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