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本规范的目的是给出低压集成电路不同分组的接口规范,包括电源电压值、容差和最坏情况下的输入、输出电压极限值。 同时给出每类标称电源电压的两种接口规范:正常范围和宽范围。正常范围是依据工业标准制定的,典型容差大约是10%。宽范围是扩展到一个较宽的范围,可以使电池继续工作的实际值。

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GB/T 17864-1999 关键尺寸(CD)计量方法 现行 发布日期 :  1999-09-13 实施日期 :  2000-06-01

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GB/T 17865-1999 焦深与最佳聚焦的测量规范 现行 发布日期 :  1999-09-13 实施日期 :  2000-06-01

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GB/T 16525-2015 半导体集成电路 塑料有引线片式载体封装引线框架规范 现行 发布日期 :  2015-05-15 实施日期 :  2016-01-01

本标准规定了半导体集成电路塑料有引线片式载体(PLCC)封装引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。
本标准适用于半导体集成电路塑料有引线片式载体(PLCC)封装引线框架的研制、生产和采购。

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GB/T 3436-1996 半导体集成电路 运算放大器系列和品种 现行 发布日期 :  1996-07-09 实施日期 :  1997-01-01

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GB/T 6648-1986 半导体集成电路静态读/写存储器空白详细规范(可供认证用) 现行 发布日期 :  1986-07-30 实施日期 :  1987-07-31

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GB/T 35008-2018 串行NOR型快闪存储器接口规范 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

本标准规定了串行或非(NOR)型快闪存储器(以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于地址为24位的串行NOR型快闪存储器的设计和使用。

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GB/T 35009-2018 串行NAND型快闪存储器接口规范 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

本标准规定了串行与非(NAND)型快闪存储器(以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于串行NAND型快闪存储器的设计和使用。

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本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试的方法。
本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试。

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