本标准规定了串行或非（NOR)型快闪存储器（以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于地址为24位的串行NOR型快闪存储器的设计和使用。

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本标准规定了串行与非（NAND）型快闪存储器（以下称为器件）的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于串行NAND型快闪存储器的设计和使用。

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本文件规定了片上系统（SoC）的技术要求、电测试方法和检验规则。
本文件适用于片上系统（SoC）的设计、制造、采购、验收。

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本文件规定了半导体集成电路霍尔电路（以下称为器件）电特性测试方法。本文件适用于半导体集成电路霍尔电路电特性的测试。

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本文件规定了半导体集成电路中直接数字频率合成器（以下简称“器件”）电特性的通用测试方法。本文件适用于单通道及多通道直接数字频率合成器电路的测试。

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本文件定义了集成电路（IC）传导和辐射骚扰电磁抗扰度测量的通用信息，描述了常规的试验条件、试验设备和布置、试验程序和试验报告内容。附录A中给出了试验方法的对照表，帮助选择适当的测量方法。

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本文件描述了集成电路（IC）对射频（RF）辐射电磁骚扰的抗扰度测量方法。本文件适用的频率范围为150 kHz～1 GHz或为TEM小室和宽带TEM小室的特性决定的频率范围。

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本文件规定了在传导射频(RF)骚扰存在的情况下集成电路(IC)抗扰度的测量方法，例如，由辐射RF骚扰引起的传导RF骚扰。本方法确保抗扰度测量的高度可重复性和相关性。
本文件为设备中的半导体器件在无用RF电磁波环境下工作时的评估建立公共基础。

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本文件描述了元器件位移损伤的试验方法。本文件适用于光电集成电路和分立器件，如电荷耦合器件（CCD）、光电耦合器、图像敏感器（APS）、光敏管等，用质子、中子进行位移损伤辐照试验。其他元器件的位移损伤辐照试验参照进行。

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本文件描述了半导体集成电路视频编解码（video encoder and decoder）电路中的模拟视频接口类电路（以下简称“器件”）电特性测试方法。
本文件适用于视频编解码电路中的模拟视频接口类电路的测试。

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本文件规定了快闪存储器(FLASH)的分类、技术要求、电测试方法和检验规则。
本文件适用于FLASH的设计、制造、采购、验收。

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本文件规定了半导体集成电路驱动器（以下简称器件）的电特性测试方法的基本原理和测试程序。本文件适用于74/54系列驱动器、总线驱动器、PIN开关驱动器、达林顿驱动器、时钟驱动器、LVDS驱动器、MOSFET驱动器和差分驱动器等各种半导体工艺制造的驱动器的电性能测试。其他类别驱动器的测试参考使用。

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本文件规定了集成电路知识产权(IP)核的设计开发过程中的一般要求和详细设计要求。
本文件适用于集成电路IP核的开发、转让和集成过程。

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本文件规定了模拟/混合信号知识产权（IP）核质量的评测内容，包括IP核的文档质量、IP核的电路设计质量、物理设计质量、模型质量、IP核功能验证质量和IP核流片验证质量等。本文件适用于模拟/混合信号IP核的提供者、使用者和第三方评测模拟/混合信号IP核的质量，包括完备性和可复用性，并不涵盖具体功能和性能的评测。

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