本文件界定了半导体材料的一般术语和定义，材料制备与工艺及缺陷的术语和定义，以及缩略语。本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。

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本文件描述了一系列高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他带有表面层的圆形晶片，也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。

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本文件规定了利用脉冲激光辐射源开展宇航用半导体器件（以下简称“器件”)单粒子效应模拟试验的试验设计与程序。本文件适用于宇航用半导体器件单粒子效应等的单光子或双光子吸收机制的脉冲激光模拟试验的试验设计与过程控制。

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本文件规定了塑封电子元器件进行声学显微镜检查的程序。本文件提供了一种使用声学显微镜对塑料封装进行缺陷（分层、裂纹、模塑料空洞等）检查的方法，本方法具有可重复性，是非破坏性试验。

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本文件规定了光电二极管（以下简称“PDs”）和光电晶体管（以下简称“PTs”）的术语、基本额定值和特性以及测试方法。本文件适用于光电二极管和光电晶体管。

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本文件规定了光电耦合器的基本额定值、特性、安全试验及测试方法。

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本文件描述了一种确定半导体器件对热应力和机械应力耐受能力的方法，通过对器件内部芯片和连接结构施加循环耗散功率来实现。试验时，周期性施加和移除正向偏置（负载电流)，使其温度快速变化。本试验是模拟电力电子的典型应用，也是对高温工作寿命（见IEC 60749-23)的补充。其失效机理可能不同于空气对空气温度循环试验及双液槽法快速温变试验。本试验会导致损伤，是破坏性试验。

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本文件提供了在商用碳化硅（SiC）同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例，为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。
本文件主要论述缺陷的无损表征方法，因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。

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本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM)、光致发光（PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。

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本文件提供了商用碳化硅(4H-SiC)同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例，为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。

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本文件规定了宇航用半导体分立器件（以下简称“器件”）的通用要求、质量保证规定、交货准备和说明事项。本文件适用于宇航用半导体分立器件的设计、生产、检验和销售。

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本文件规定了一般工业应用的发光二极管（LED）的术语、基本额定值和特性、测试方法和质量评定，涉及信号器、控制器、传感器等。本文件不包括照明用LED。LED分为以下五种类型：a)〓LED器件；b)〓LED平面发光器件；c)〓LED数字显示和字母数字显示；d)〓显示用点阵LED；e)〓红外发射二极管（IR LED）；f)〓紫外发射二极管（UV LED）。本文件包括带有散热器或具有同等散热器功能的LED。

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本文件给出了下列几种类型双极型晶体管(微波晶体管除外)的有关要求：--小信号晶体管（开关和微波用除外）；--线性功率晶体管（开关、高频和微波用除外）；--放大和振荡用高频功率晶体管；--高速开关和电源开关用开关晶体管；--电阻偏置晶体管。

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本文件描述了半导体集成电路脉冲宽度调制(PWM)控制器(以下简称器件)参数测试方法。本文件适用于半导体集成电路领域中PWM控制器参数的测试。

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本文件规定了半导体芯片精密划切用砂轮的产品分类、产品标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于半导体晶圆芯片精密划片和封装体芯片精密切割用电镀结合剂、树脂结合剂和金属结合剂金刚石砂轮。

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