【国家标准】半导体晶片近边缘几何形态评价　第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)

本网站发布时间： 2024-11-01

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标准简介

本文件描述了一系列高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他带有表面层的圆形晶片，也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。

标准号：
GB/T 43894.1-2024
标准名称：
半导体晶片近边缘几何形态评价　第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)
英文名称：
Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 1:Measured height data array using a curvature metric(ZDD)
标准状态：
现行
发布日期：
2024-04-25
实施日期：
2024-11-01
出版语种：
中文简体

起草人：
王玥、朱晓彤、孙燕、宁永铎、徐新华、徐国科、李春阳、张海英、陈海婷、丁雄杰、郭正江
起草单位：
山东有研半导体材料有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司、中环领先半导体材料有限公司、广东天域半导体股份有限公司、鸿星科技(集团)股份有限公司
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

【国家标准】 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)