SiC半导体材料以其独特的优异性能,特别适合制作高压、超高压功率器件。10kV级以上高压/超高压SiC功率器件多为垂直结构的双极型器件,如SiCPiN二极管、IGBT及GTO晶闸管等。从结构上看,n沟道IGBT与n沟道MOSFET器件结构类似,所不同的是需要将n沟道MOSFET材料结构中的n+型衬底替换成p+型衬底。由于市面上缺乏电阻可接受的p+型4H-SiC衬底,为了制造n沟道IGBT器件材料,需要使用反转型n沟道IGBT器件结构,制造工艺复杂。与n沟道IGBT相比,p沟道IGBT器件材料不但制造工艺简单,而且可使用质量较高的n+型4H-SiC衬底,即p沟道IGBT器件材料是在n+型4H-SiC衬底上外延p+型4H-SiC漂移层/电压阻挡层所构成的p-n结材料,正是该p+型漂移层,使得p沟道IGBT器件具有许多优异性能。