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GB/T 14029-1992 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理 现行 发布日期 :  1992-12-18 实施日期 :  1993-08-01

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GB/T 14115-1993 半导体集成电路采样/保持放大器测试方法的基本原理 现行 发布日期 :  1993-01-21 实施日期 :  1993-08-01

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GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) 现行 发布日期 :  2012-12-31 实施日期 :  2013-06-01

本标准给出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。

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GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 现行 发布日期 :  1998-11-17 实施日期 :  1999-06-01

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GB/T 15876-2015 半导体集成电路 塑料四面引线扁平封装引线框架规范 现行 发布日期 :  2015-05-15 实施日期 :  2016-01-01

本标准规定了半导体集成电路塑料四面引线扁平封装引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。
本标准适用于半导体集成电路塑料四面引线扁平封装冲制型引线框架。塑料四面引线扁平封装刻蚀引线框架也可参照使用。

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GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 现行 发布日期 :  1994-12-30 实施日期 :  1995-08-01

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GB/T 4937.12-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分:扫频振动 现行 发布日期 :  2018-09-17 实施日期 :  2019-01-01

GB/T 4937的本部分的目的是测定在规定频率范围内,振动对器件的影响。本试验是破坏性试验,通常用于有空腔的器件。本试验与GB/T 2423.10-2008基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。

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GB/T 4937.22-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分:键合强度 现行 发布日期 :  2018-09-17 实施日期 :  2019-01-01

GB/T 4937的本部分适用于半导体器件(分立器件和集成电路)。
本部分的目的是测量键合强度或确定键合强度是否满足规定的要求。

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本文件描述了随时间的推移,偏置条件和温度对固态器件影响的试验方法。该试验以加速寿命模式模拟器件工作,主要用于器件的鉴定和可靠性检验。短期的高温偏置寿命通常称之为老炼,可用于筛选试验中剔除早期失效产品。本文件未规定老炼的详细要求和应用。

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GB/T 21548-2021 光通信用高速直接调制半导体激光器的测量方法 现行 发布日期 :  2021-04-30 实施日期 :  2021-08-01

本标准规定了光通信用高速直接调制激光器及其组件的分类和测量方法。
本标准适用于光传送网、光接入网及数据中心等光通信系统中所用高速直接调制激光器及其组件的光电特性测量,模拟光通信系统和其他光系统中所用激光器及其组件的光电特性测量也可参考使用。

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GB/T 24578-2024 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法 现行 发布日期 :  2024-07-24 实施日期 :  2025-02-01

本文件描述了半导体镜面晶片表面深度为5 nm以内金属元素的全反射X射线荧光光谱(TXRF)测试方法。
本文件适用于硅、绝缘衬底上的硅(SOI)、锗、碳化硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、锑化镓等单晶抛光片或外延片表面金属沾污的测定,尤其适用于晶片清洗后自然氧化层或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定,测定范围:109 atoms/cm2~1 015 atoms/cm2。
本文件规定的方法能够检测周期表中原子序数16(S)~92(U)的元素,尤其适用于钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅等金属元素。

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GB/T 14032-1992 半导体集成电路数字锁相环测试方法的基本原理 现行 发布日期 :  1992-12-18 实施日期 :  1993-08-01

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GB/T 4728.5-2018 电气简图用图形符号 第5部分:半导体管和电子管 现行 发布日期 :  2018-07-13 实施日期 :  2019-02-01

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GB/T 4937的本部分用来确定将半导体芯片安装在管座或其他基板上所使用的材料和工艺步骤的完整性(基于本试验方法的目的,本部分中半导体芯片包括无源元件)。本部分适用于空腔封装,也可作为过程监测。不适用于面积大于10 mm2的芯片,以及倒装芯片和易弯曲基板。

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