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- T/CIE 145-2022 辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法
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标准简介
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适用范围:
本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱(DLTS)测试辐射诱生缺陷的方法和程序。
本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。
本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。
标准号:
T/CIE 145-2022
标准名称:
辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法
英文名称:
Measurement method of radiation induced traps by deep level transient spectroscopy标准状态:
现行-
发布日期:
2022-12-31 -
实施日期:
2023-01-31 出版语种:
中文简体
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