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【团体标准】 辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法

本网站 发布时间: 2023-10-27
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适用范围:

本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱(DLTS)测试辐射诱生缺陷的方法和程序。
本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。

基本信息

  • 标准号:

    T/CIE 145-2022

  • 标准名称:

    辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法

  • 英文名称:

    Measurement method of radiation induced traps by deep level transient spectroscopy
  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    2022-12-31
  • 实施日期:

    2023-01-31
  • 出版语种:

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号:

    31.080.01
  • 中标分类号:

    L40

关联标准

  • 替代以下标准:

  • 被以下标准替代:

  • 引用标准:

  • 采用标准:

出版信息

  • 页数:

    16 页
  • 字数:

    31 千字
  • 开本:

    大16 开

其他信息

  • 起草人:

    彭超 雷志锋 何玉娟 张战刚 肖庆中 来萍 黄云 李兴冀 杨剑群 徐晓东
  • 起草单位:

    工业和信息化部电子第五研究所、哈尔滨工业大学
  • 归口单位:

    中国电子学会可靠性分会
  • 提出部门:

    中国电子学会可靠性分会
  • 发布部门:

    中国电子学会
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  • 国家标准计划