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【国家标准】 太阳能电池用硅单晶片

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标准简介标准简介

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适用范围:

本标准规定了太阳能电池用硅单晶片(简称硅片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。
本标准适用于由直拉法制备的硅单晶加工成的准方形或方形硅片,产品用于制作太阳能电池的衬底片。

基本信息

  • 标准号:

    GB/T 26071-2018

  • 标准名称:

    太阳能电池用硅单晶片

  • 英文名称:

    Monocrystalline silicon wafers for solar cells
  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    2018-09-17
  • 实施日期:

    2019-06-01
  • 出版语种:

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号:

    29.045
  • 中标分类号:

    H82

关联标准

  • 替代以下标准:

  • 被以下标准替代:

  • 引用标准:

  • 采用标准:

出版信息

  • 页数:

    12 页
  • 字数:

    18 千字
  • 开本:

    大16 开

其他信息

  • 起草人:

    楼春兰、毛卫中、邹剑秋、汪新华、孙燕、杨素心、刘培东、宫龙飞、邓浩、李建弘、徐博、许国华、张军
  • 起草单位:

    浙江省硅材料质量检验中心、有研半导体材料有限公司、泰州隆基乐叶光伏科技有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古中环光伏材料有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、有色金属技术经济研究院
  • 归口单位:

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
  • 提出部门:

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)
  • 发布部门:

    国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
ICS29.045 H82 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T26071—2018 代替 GB/T26071—2010 太阳能电池用硅单晶片 Monocrystalinesiliconwafersforsolarcels 2018-09-17发布 2019-06-01实施 国 家 市 场 监 督 管 理 总 局 中国国家标准化管理委员会 发 布 前 言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T26071—2010《太阳能电池用硅单晶切割片》。与GB/T26071—2010相比,主要 技术变化如下: ———将标准名称《太阳能电池用硅单晶切割片》修改为《太阳能电池用硅单晶片》(见封面,2010年 版的封面); ———修改了范围中本标准适用性的描述(见第1章,2010年版的第1章); ———修改了电阻率测定引用标准,GB/T1551替代了GB/T1552(见第2章,2010年版的第2章); ———增加引用标准GB/T6619、GB/T14844、GB/T30859、GB/T30860、GB/T30869和YS/T28 (见第2章,2010年版的第2章); ———删除了线痕的定义(见2010年版3.1); ———增加了产品牌号的表示方法(见4.1); ———将产品分类中“按外形可分为准方形和圆形两种”修改为“按外形可分为准方形和方形两种”, 标准中删除了圆形分类及其要求,增加了方形(见4.2.2,2010年版的4.1); ———产品尺寸由“准方形硅片按其边长分为125mm×125mm、156mm×156mm”修改为“准方形 硅片按其边长分为100.75mm、125.75mm、156Ⅰ、156Ⅱ、156Ⅲ、161.75mm、210.75mm”(见 4.2.2,2010年版的4.2); ———删除了圆 形 硅 片 的 尺 寸,增 加 了“方 形 硅 片 按 其 尺 寸 可 分 为100.75 mm、125.75 mm、 156.75mm、210.75mm”的要求(见4.2.2,2010年版的4.2); ———增加了理化性能,即“硅片的晶体完整性、氧含量和碳含量应符合GB/T25076的规定。如有 需要,由供方提供各项检验结果”(见5.1); ———增加了硅片厚度“130±15、140±15、150±15、170±20”相对应的要求;删除了硅片厚度“220± 20、240±20”相对应的要求;修改了翘曲度指标要求(见5.2.1,2010年版的4.3.1); ———修改了准方形硅片尺寸的要求(见5.2.2,2010年版的4.3.2); ———增加了方形硅片尺寸的要求(见5.2.3); ———删除了“硅片的导电类型、掺杂剂、少数载流子寿命和晶体完整性应符合GB/T25076的规定” (见2010年版的4.3.3.1); ———电学性能参数中的电阻率范围下限由0.5Ω·cm改为P型0.2Ω·cm,N型0.1Ω·cm(见 5.3.2,2010年版的4.3.3.2); ———修改了晶向偏离度的要求(见5.4,2010年版的4.3.4); ———修改了硅片线痕深度、崩边、缺口的要求(见5.5,2010年版的4.3.5); ———修改了导电类型和晶向的检查水平(见表6,2010年版的表6)。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位:浙江省硅材料质量检验中心、有研半导体材料有限公司、泰州隆基乐叶光伏科技 有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古中环光伏材料有限公司、宜 昌南玻硅材料有限公司、有色金属技术经济研究院。 本标准主要起草人:楼春兰、毛卫中、邹剑秋、汪新华、孙燕、杨素心、刘培东、宫龙飞、邓浩、李建弘、 徐博、许国华、张军。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: ———GB/T26071—2010。 Ⅰ GB/T26071—2018