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- GB/T 26071-2018 太阳能电池用硅单晶片
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适用范围:
本标准规定了太阳能电池用硅单晶片(简称硅片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。
本标准适用于由直拉法制备的硅单晶加工成的准方形或方形硅片,产品用于制作太阳能电池的衬底片。
本标准适用于由直拉法制备的硅单晶加工成的准方形或方形硅片,产品用于制作太阳能电池的衬底片。
标准号:
GB/T 26071-2018
标准名称:
太阳能电池用硅单晶片
英文名称:
Monocrystalline silicon wafers for solar cells标准状态:
现行-
发布日期:
2018-09-17 -
实施日期:
2019-06-01 出版语种:
中文简体
起草人:
楼春兰、毛卫中、邹剑秋、汪新华、孙燕、杨素心、刘培东、宫龙飞、邓浩、李建弘、徐博、许国华、张军起草单位:
浙江省硅材料质量检验中心、有研半导体材料有限公司、泰州隆基乐叶光伏科技有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古中环光伏材料有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、有色金属技术经济研究院归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)提出部门:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)发布部门:
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
- 其它标准
ICS29.045
H82
中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准
GB/T26071—2018
代替 GB/T26071—2010
太阳能电池用硅单晶片
Monocrystalinesiliconwafersforsolarcels
2018-09-17发布 2019-06-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会
发 布
前 言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T26071—2010《太阳能电池用硅单晶切割片》。与GB/T26071—2010相比,主要
技术变化如下:
———将标准名称《太阳能电池用硅单晶切割片》修改为《太阳能电池用硅单晶片》(见封面,2010年
版的封面);
———修改了范围中本标准适用性的描述(见第1章,2010年版的第1章);
———修改了电阻率测定引用标准,GB/T1551替代了GB/T1552(见第2章,2010年版的第2章);
———增加引用标准GB/T6619、GB/T14844、GB/T30859、GB/T30860、GB/T30869和YS/T28
(见第2章,2010年版的第2章);
———删除了线痕的定义(见2010年版3.1);
———增加了产品牌号的表示方法(见4.1);
———将产品分类中“按外形可分为准方形和圆形两种”修改为“按外形可分为准方形和方形两种”,
标准中删除了圆形分类及其要求,增加了方形(见4.2.2,2010年版的4.1);
———产品尺寸由“准方形硅片按其边长分为125mm×125mm、156mm×156mm”修改为“准方形
硅片按其边长分为100.75mm、125.75mm、156Ⅰ、156Ⅱ、156Ⅲ、161.75mm、210.75mm”(见
4.2.2,2010年版的4.2);
———删除了圆 形 硅 片 的 尺 寸,增 加 了“方 形 硅 片 按 其 尺 寸 可 分 为100.75 mm、125.75 mm、
156.75mm、210.75mm”的要求(见4.2.2,2010年版的4.2);
———增加了理化性能,即“硅片的晶体完整性、氧含量和碳含量应符合GB/T25076的规定。如有
需要,由供方提供各项检验结果”(见5.1);
———增加了硅片厚度“130±15、140±15、150±15、170±20”相对应的要求;删除了硅片厚度“220±
20、240±20”相对应的要求;修改了翘曲度指标要求(见5.2.1,2010年版的4.3.1);
———修改了准方形硅片尺寸的要求(见5.2.2,2010年版的4.3.2);
———增加了方形硅片尺寸的要求(见5.2.3);
———删除了“硅片的导电类型、掺杂剂、少数载流子寿命和晶体完整性应符合GB/T25076的规定”
(见2010年版的4.3.3.1);
———电学性能参数中的电阻率范围下限由0.5Ω·cm改为P型0.2Ω·cm,N型0.1Ω·cm(见
5.3.2,2010年版的4.3.3.2);
———修改了晶向偏离度的要求(见5.4,2010年版的4.3.4);
———修改了硅片线痕深度、崩边、缺口的要求(见5.5,2010年版的4.3.5);
———修改了导电类型和晶向的检查水平(见表6,2010年版的表6)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:浙江省硅材料质量检验中心、有研半导体材料有限公司、泰州隆基乐叶光伏科技
有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、隆基绿能科技股份有限公司、内蒙古中环光伏材料有限公司、宜
昌南玻硅材料有限公司、有色金属技术经济研究院。
本标准主要起草人:楼春兰、毛卫中、邹剑秋、汪新华、孙燕、杨素心、刘培东、宫龙飞、邓浩、李建弘、
徐博、许国华、张军。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T26071—2010。
Ⅰ
GB/T26071—2018
推荐标准
- GB/T 12963-2022 电子级多晶硅
- GB/T 41652-2022 刻蚀机用硅电极及硅环
- GB/T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
- GB/T 26069-2022 硅单晶退火片
- GB/T 40561-2021 光伏硅材料 氧含量的测定 脉冲加热惰性气体熔融红外吸收法
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- GB/T 14139-2019 硅外延片
- GB/T 29054-2019 太阳能电池用铸造多晶硅块
- GB/T 29055-2019 太阳能电池用多晶硅片
- GB/T 5238-2019 锗单晶和锗单晶片
- GB/T 25076-2018 太阳能电池用硅单晶
- GB/T 26071-2018 太阳能电池用硅单晶片
- GB/T 12964-2018 硅单晶抛光片
- GB/T 12965-2018 硅单晶切割片和研磨片
- GB/T 35307-2017 流化床法颗粒硅