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【国家标准】 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法

本网站 发布时间： 2015-09-01
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适用范围：

本标准规定了利用高分辨X射线衍射仪测试Ⅲ族氮化物外延片结晶质量的方法。
本标准适用于在氧化物衬底（Al2O3、ZnO等）或半导体衬底（GaN、Si、GaAs、SiC等）上外延生长的氮化物(Ga、In、Al)N单层或多层异质外延片结晶质量的测试。其他异质外延片结晶质量的测试也可参考本标准。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 30653-2014

  • 标准名称：

    Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法

  • 英文名称：

    Test method for crystal quality of Ⅲ-nitride epitaxial layers

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2014-12-31

  • 实施日期：

    2015-09-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    77.040.20

  • 中标分类号：

    H21

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    12 页

  • 字数：

    12 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    孙宝娟、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽

  • 起草单位：

    中国科学院半导体研究所

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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