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【国家标准】 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

本网站 发布时间: 2019-01-02
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适用范围:

本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备(以下简称“HVPE设备”)的产品分类和标记、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。
本标准适用于制备直径50.8 mm~152.4 mm氮化物半导体材料的HVPE设备。

基本信息

  • 标准号:

    GB/T 36646-2018

  • 标准名称:

    制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

  • 英文名称:

    Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy
  • 标准状态:

    现行
  • 发布日期:

    2018-09-17
  • 实施日期:

    2019-01-01
  • 出版语种:

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号:

    31.220
  • 中标分类号:

    L95

关联标准

  • 替代以下标准:

  • 被以下标准替代:

  • 引用标准:

  • 采用标准:

出版信息

  • 页数:

    20 页
  • 字数:

    28 千字
  • 开本:

    大16 开

其他信息

  • 起草人:

    刘鹏 孙永健 丁晓民 冯亚彬 王健辉
  • 起草单位:

    东莞市中镓半导体科技有限公司、中国电子技术标准化研究院
  • 归口单位:

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
  • 提出部门:

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)
  • 发布部门:

    国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会