本文件规定了采用电子背散射衍射（electron backscatter diffraction，EBSD）法测量钢中奥氏体体积分数和形态的方法、设备、取样和试样制备、测量步骤、数据处理和检验报告。
本文件适用于分析含有晶粒尺寸50 nm以上奥氏体的中、低碳钢及中、低碳合金钢。
本文件不适用于分析晶粒尺寸小于50 nm的奥氏体，奥氏体晶粒尺寸小于50 nm会严重影响定量分析结果的准确性。
注： 晶粒尺寸下限是可观察到的最小奥氏体晶粒尺寸。晶粒尺寸下限取决于设备条件和操作参数。

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本文件描述了用氩气吸附静态容量法测定石墨烯粉体比表面积的方法。
本文件适用于测定具有Ⅱ型(分散的、无孔或大孔)和Ⅳ型(介孔，孔径2 nm~50 nm)吸附等温线的石墨烯粉体的比表面积。含有少量微孔、吸附等温线呈现出Ⅱ型和Ⅰ型相结合或Ⅳ型和Ⅰ型相结合的石墨烯粉体的比表面积测定亦适用。其他类型的碳基纳米材料，如碳纳米管、碳纤维、多孔炭等比表面积的测定参照使用。

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本文件描述了分析人员利用全反射X射线荧光(TXRF)仪器开展水样测量的化学方法。根据良好的操作实践，本方法具有确定的准确度和精密度。本文件适用于开展大量样品常规分析且按照ISO/IEC 170251)运作的实验室。
本文件描述了水(例如，饮用水、地表水、地下水)中溶解性元素含量的测定方法。考虑到特定和额外发生的干扰，按照本方法也能测定废水和洗脱液中的元素。本文件不包括采样、稀释和预浓缩方法。
本方法能测定的元素会随着仪器X射线源的改变而发生变化。本文件未涉及健康、安全和商业因素。
测量范围取决于样品基体和遇到的干扰。对于饮用水和相对未被污染的水，大多数元素的定量限介于0.001 mg/L~0.01 mg/L。测量范围通常介于0.001 mg/L~10 mg/L的浓度区间，取决于测量元素和预先设定的要求。
附录B给出了钼靶X射线源、Ga作为校准内标时的TXRF分析水样的完整方法验证示例。
大多数元素的定量限会受到空白污染的影响，且主要依赖于所使用的实验室空气处理设施以及试剂的纯度和实验器具的清洁程度。

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本文件描述了采用辉光放电质谱法（GDMS)测量锗酸铋（BGO)晶体中杂质元素的方法。本文件适用于BGO晶体材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定，测定范围为0.001 μg/g~1 000 μg/g（质量分数)。通过合适的标准样品校正，也适用于测量质量分数大于1 000 μg/g的杂质元素含量。

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本文件提供了在表面化学分析前生物材料样品的处理、安装和表面处理方法的指导。其目的是帮助分析人员了解在进行分析时，使用如下技术对特殊样品处理所需的条件：
——X射线光电子能谱(XPS)或化学分析电子能谱 (ESCA)；
——二次离子质谱 (SIMS)；
——俄歇电子能谱(AES)。
所提出的方法也适用于其他对表面组成分析灵敏的技术，如：
——衰减全反射傅里叶变换红外光谱 (ATR-FTIR)；
——全反射X射线荧光光谱(TXRF)；
——紫外光电子能谱 (UPS)。
本文件阐述了所用真空条件的影响和检测前后及植入前后的污染问题，以及在检测过程中与污染相关的问题。这里的生物材料包括硬质和软质，如金属、陶瓷、支架和聚合物。
本文件不包括诸如细胞、组织和生物体等活体生物材料。本文件中不涵盖的其他相关主题还包括电子显微镜或光学显微镜的样品制备。

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本文件给出了在数据表、分析证书、涉及制备用于表面化学分析时纳米物体处理的报告或其他出版物中应报告的信息。这些信息对于确保促进应用这些材料的研究和技术所需的分析可靠性和再现性是必需的，并获得对可能的纳米物体环境和生物影响的恰当理解。这些信息除了其他与样品的合成、加工历史及表征有关的详细资料外，并宜成为有关材料来源和其自产生以来发生的变化的数据记录（有时被确认为源信息）的一部分。
本文件包括了资料性附录。附录总结了与纳米物体相关的挑战性问题，强调了需要在材料数据记录中加强文件化和报告（见附录A）,并提供了通常从用于表面化学分析的溶液中提取颗粒的方法示例（见附录B）。相关样品数据的示例集展示于附录C。
本文件未规定确保所描述的分析测量得到恰当实施所需的仪器类型或操作程序。

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本文件规定了利用透射电子显微镜（TEM）测量金属薄晶体中位错密度的设备、试样、测定方法、数据处理、测定结果的不确定度和试验报告。本文件适用于测定晶粒内不高于1×1015m-2的位错密度。也适用于测量几十纳米至几百纳米厚度金属薄晶体试样中单个晶粒内的位错密度。

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本文件描述了常规分析中确认静态二次离子质谱正离子相对强度标的重复性和一致性的方法。本文件适用于安装有荷电中和电子枪的仪器，不用于校正强度随质量变化的响应函数，校正可由仪器制造厂商或其他机构进行。本文件提供数据以确认仪器使用时的相对强度一致性，提供可影响一致性的一些仪器参数的设置指南。

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〓〓本文件描述了测定纳米多孔材料储氢量的静态容量气体吸附的方法。本文件适用于以物理吸附储氢的碳材料、沸石、金属有机框架材料、多孔有机聚合物等纳米多孔材料储氢量的测定。其他多孔材料储氢量的测定也可参照使用。

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本标准规定了X射线光电子能谱仪的检定方法。本标准适用于使用非单色化Al或Mg X射线或单色化Al X射线，且带有溅射清洁用离子枪的X射线光电子能谱仪的检定。

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本标准以最少量的资料描述了用X射线光电子能谱测量绝缘样品内能级结合能，及将在报告其分析结果时所采用的荷电控制和荷电校正方法，也给出了在结合能测量过程中对于荷电控制和荷电校正有用的方法资料。

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本标准指定了一种由离子注入参考物质确定二次离子质谱分析中相对灵敏度因子的方法。
本标准适用于基体化学成分单一的样品，其中注入物质的峰值原子浓度不超过1%。

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本文件规定了俄歇电子能谱仪特定性能参数的表述要求。
本文件适用于俄歇电子能谱仪的性能参数表述。

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本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6 nm。

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本标准规定了纳米材料超双亲性能检测方法的术语及定义、方法原理、仪器和试剂、样品制备、检测条件、检测步骤及结果评定、检测报告等。
本标准适用于检测经纳米技术处理，组成均匀、光滑、不变形（在液体表面张力的垂直分量的作用下）和各向同向性的固体表面超双亲性能。
本标准不适用于能够吸收所测液体的材料。

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