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本文件描述了用于测量扫描电容显微镜(scanning capacitance microscope,SCM)或扫描扩展电阻显微镜(scanning spreading resistance microscope,SSRM)空间(横向)分辨的方法,该方法涉及使用锐边的器件。这2种显微镜广泛应用于半导体器件的载流子分布成像和其他电学特性的测量。

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GB/T 4472-2011 化工产品密度、相对密度的测定 现行 发布日期 :  2011-12-30 实施日期 :  2012-10-01

本标准规定了化工产品密度和相对密度测定的术语和定义,固体、液体和气体化工产品的密度和相对密度测定的方法。
本标准适用于一般化工产品密度和相对密度的测定。
本标准不适用于炭黑、开孔式泡沫橡胶或塑料等特殊状态的化工产品密度、相对密度的测定。

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GB/T 25184-2010 X射线光电子能谱仪检定方法 现行 发布日期 :  2010-09-26 实施日期 :  2011-08-01

本标准规定了X射线光电子能谱仪的检定方法。本标准适用于使用非单色化Al或Mg X射线或单色化Al X射线,且带有溅射清洁用离子枪的X射线光电子能谱仪的检定。

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本标准以最少量的资料描述了用X射线光电子能谱测量绝缘样品内能级结合能,及将在报告其分析结果时所采用的荷电控制和荷电校正方法,也给出了在结合能测量过程中对于荷电控制和荷电校正有用的方法资料。

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本标准指定了一种由离子注入参考物质确定二次离子质谱分析中相对灵敏度因子的方法。
本标准适用于基体化学成分单一的样品,其中注入物质的峰值原子浓度不超过1%。

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GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量X射线光电子能谱法 现行 发布日期 :  2010-09-26 实施日期 :  2011-08-01

本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法,即X射线光电子能谱法(XPS)。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量;通常,本标准适用的氧化硅层厚度不大于6 nm。

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GB/T 26489-2011 纳米材料超双亲性能检测方法 现行 发布日期 :  2011-05-12 实施日期 :  2012-02-01

本标准规定了纳米材料超双亲性能检测方法的术语及定义、方法原理、仪器和试剂、样品制备、检测条件、检测步骤及结果评定、检测报告等。
本标准适用于检测经纳米技术处理,组成均匀、光滑、不变形(在液体表面张力的垂直分量的作用下)和各向同向性的固体表面超双亲性能。
本标准不适用于能够吸收所测液体的材料。

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GB/T 26490-2011 纳米材料超双疏性能检测方法 现行 发布日期 :  2011-05-12 实施日期 :  2012-02-01

本标准规定了纳米材料超双疏性能检测方法的术语和定义、方法原理、仪器和试剂、样品制备、检测条件、检测步骤及结果评定、检测报告等。
本标准适用于检测经纳米技术进行处理的材料的超疏水和超疏油性能,材料表面应是均匀、光滑、不变形(在液体表面张力的垂直分量作用下)和各向同性的固体表面。

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GB/T 28015-2011 家用卫生杀虫用品 烟尘量试验方法 现行 发布日期 :  2011-10-31 实施日期 :  2012-02-01

本标准规定了家用卫生杀虫用品的烟尘量试验方法。
本标准适用于固态燃香及烟制剂产品。

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GB/T 28723-2012 固体有机化学品纯度的测定 差示扫描量热法 现行 发布日期 :  2012-09-03 实施日期 :  2013-02-01

本标准规定了固体有机化学品纯度测定的差示扫描量热法。
本标准适用于具有明确熔点的热稳定固体有机化学品的纯度测定,其给出的是试样中杂质的总含量,而不能得出单一杂质的含量。

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GB/T 28724-2012 固体有机化学品熔点的测定 差示扫描量热法 现行 发布日期 :  2012-09-03 实施日期 :  2013-02-01

本标准规定了差示扫描量热法测定熔点的原理、仪器设备、分析步骤、试验报告及精度。
本标准适用于具有明确熔点的热稳定性有机化学品的熔点测定。

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本文件规定了俄歇电子能谱和X射线光电子能谱的峰强度测量的分析结果报告中所要求的必要信息,也提供了峰强度测量方法和导出的峰面积不确定度的信息。

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本文件描述了测量经化学机械抛光或外延生长的硅片上表面元素污染的原子表面密度的TXRF方法。
本文件适用于以下情形:
——原子序数从16(S)到92(U)的元素;
——原子表面密度介于1×1010 atoms/cm2~1×1014 atoms/cm2之间的污染元素;
——采用VPD(气相分解)样品制备方法得到的原子表面密度介于5×108 atoms/cm2~5×1012 atoms/cm2之间的污染元素(见3.4)。

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本文件规定了一种通过测定溅射速率校准材料溅射深度的方法,即在一定溅射条件下测定一种具有单层或多层膜参考物质的溅射速率,用作相同材料膜层的深度校准。当使用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)进行深度分析时,这种方法对于厚度在20 nm~200 nm之间的膜层具有5%~10%的准确度。溅射速率是由参考物质相关界面间的膜层厚度和溅射时间决定。使用已知的溅射速率并结合溅射时间,可以得到被测样品的膜层厚度。测得的离子溅射速率可用于预测各种其他材料的离子溅射速率,从而可以通过溅射产额和原子密度的表值估算出这些材料的深度尺度和溅射时间。

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本文件规定了如何报告X射线光电子能谱的峰拟合及其结果。本文件适用于单个谱图或一组相关谱图的拟合,例如在深度剖析测试中采集获得的一组相关谱图。本文件提供了一个应报告的参数列表,以实现可重复的峰拟合或对多个谱进行拟合与比较。本文件不提供峰拟合的操作说明,也不提供应采用的拟合步骤。

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