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GB/T 14264-2024 导体材料术语 即将实施 发布日期 :  2024-04-25 实施日期 :  2024-11-01

本文件界定了半导体材料的一般术语和定义,材料制备与工艺及缺陷的术语和定义,以及缩略语。本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。

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本文件描述了一系列高度径向二阶导数法(ZDD)评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他带有表面层的圆形晶片,也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。

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GB/T 1555-2023 导体单晶晶向测定方法 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2024-03-01

本文件描述了X射线衍射定向和光图定向测定半导体单晶晶向的方法。
本文件适用于半导体单晶晶向的测定。X射线衍射定向法适用于测定硅、锗、砷化镓、碳化硅、氧化镓、氮化镓、锑化铟和磷化铟等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向;光图定向法适用于测定硅、锗等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向。

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本文件描述了非接触涡流法测试半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的方法。
本文件适用于测试直径或边长不小于25.0 mm、厚度为0.1 mm~1.0 mm的硅、导电型砷化镓、导电型碳化硅单晶片的电阻率,以及衬底上制备的电阻不小于薄膜电阻1 000倍的薄膜薄层的电阻。单晶片电阻率的测试范围为0.001 Ω·cm~200 Ω·cm,薄膜薄层电阻的测试范围为2.0×103 Ω/□~3.0×103 Ω/□。本方法也可以扩展到其他半导体材料中,但不适用于晶片径向电阻率变化的判定。

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GB/T 42676-2023 导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2024-03-01

本文件描述了利用X射线衍射仪测试半导体材料双晶摇摆曲线半高宽,进而评价半导体单晶晶体质量的方法。本文件适用于碳化硅、金刚石、氧化镓等单晶材料晶体质量的测试,硅、砷化镓、磷化铟等半导体材料晶体质量的测试也可参照本文件执行。

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GB/T 8750-2022 导体封装用金基键合丝、带 现行 发布日期 :  2022-12-30 实施日期 :  2023-07-01

本文件规定了半导体封装用金基键合丝、带的分类和标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单(或合同)内容。本文件适用于半导体分立器件和集成电路封装用金基键合丝、带。

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GB/T 14844-2018 导体材料牌号表示方法 现行 发布日期 :  2018-12-28 实施日期 :  2019-11-01

本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示,其他半导体材料牌号表示可参照执行。

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GB/T 1550-2018 非本征导体材料导电类型测试方法 现行 发布日期 :  2018-12-28 实施日期 :  2019-11-01

本标准规定了非本征半导体材料导电类型的测试方法。
本标准适用于硅、锗非本征半导体材料导电类型的测试,其他非本征半导体材料可参照本标准测试。本标准方法能保证对均匀的同一导电类型的材料测得可靠结果;对于导电类型不均匀的材料,可在其表面上测出不同导电类型区域。
本标准不适用于分层结构材料(如外延片)导电类型的测试。

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GB/T 8750-2014 导体封装用键合金丝 被代替 发布日期 :  2014-07-24 实施日期 :  2015-02-01

本标准规定了半导体分立器件、集成电路、LED封装用键合金丝(以下简称金丝)的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、质量证明书、合同(或订货单)等内容。
本标准适用于半导体封装用键合金丝。

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GB/T 26070-2010 化合物导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 现行 发布日期 :  2011-01-10 实施日期 :  2011-10-01

1.1 本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。
1.2 本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

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GB/T 6616-2009 导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 被代替 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。
本标准适用于测量直径或边长大于25 mm、厚度为0.1 mm~1 mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时,衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1 000倍。
硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0×10-3 Ω·cm~2×102 Ω·cm和2×103 Ω/□~3×103 Ω/□。

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GB/T 1555-2009 导体单晶晶向测定方法 被代替 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本标准规定了半导体单晶晶向X射线衍射定向和光图定向的方法。
本标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向。

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GB/T 14264-2009 导体材料术语 现行 发布日期 :  2009-10-30 实施日期 :  2010-06-01

本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义。
本标准适用于元素和化合物半导体材料。

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GB/T 8750-2007 导体器件键合用金丝 被代替 发布日期 :  2007-11-23 实施日期 :  2008-06-01

本标准规定了半导体器件键合金丝的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输和贮存等。 本标准适用于半导体器件内引线用的拉伸或挤压金丝。

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GB/T 4326-2006 非本征导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 现行 发布日期 :  2006-07-18 实施日期 :  2006-11-01

本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量,但该方法也可适用于其他半导体单晶材料,一般情况下,适用于室温电阻率高达 104 Ω·cm 半导体单晶材料的测试。

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