【国家标准】化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法

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标准简介

1.1　本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。
1.2　本标准适用于GaAs、InP（GaP、GaSb可参照进行）等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。

设计、生产、使用、销售化合物半导体抛光晶片的企业和质量监督检验机构的技术人员

标准号：
GB/T 26070-2010
标准名称：
化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
英文名称：
Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method
标准状态：
现行
发布日期：
2011-01-10
实施日期：
2011-10-01
出版语种：
中文简体

【国家标准】 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法