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本标准规定了利用双晶X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片摇摆曲线半高宽的方法。 本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的氮化镓单晶衬底片。
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本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。 本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10 nm的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前,需经测试双方协商达成一致。
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本文件描述了碳化硅单晶片的厚度和平整度测试方法,包括接触式和非接触式测试方法。 本文件适用于厚度为0.13 mm~1 mm,直径为50.8 mm、76.2 mm、100 mm、150 mm、200 mm的碳化硅单晶片厚度和平整度的测试。 本文件也适用于碳化硅外延片厚度和平整度的测试。
本文件描述了利用两个探头在硅片表面自动非接触扫描测试硅片的翘曲度和弯曲度的方法。 本文件适用于直径不小于50 mm,厚度不小于100 μm的洁净、干燥的硅片,包括切割、研磨、腐蚀、抛光、外延、刻蚀或其他表面状态的硅片,也可用于砷化镓、碳化硅、蓝宝石等其他半导体晶片翘曲度和弯曲度的测试。
本标准规定了采用X射线定向仪测定蓝宝石单晶晶向的方法。本标准适用于测定表面取向大致平行于低指数晶面的蓝宝石单晶材料。
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本标准规定了建筑用铝合金隔热型材传热系数测定的术语和定义、方法原理、试验设备与装置、试样、测定和试验报告。本标准适用于建筑用铝合金隔热型材传热系数的测定。
本标准规定了蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线的测量方法。本标准适用于蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线的测量。
本标准规定了金属材料电阻率测量的术语和定义、试验设备、试样、试验、试验结果及计算、试验记录和报告。 本标准适用于测量金属材料的体积电阻率、质量电阻率、电导率及直流电阻比率等电性能的测量。 本标准所提供的方法为测定标准条件下电阻率在0.01 Ω·mm2/m~2.0 Ω·mm2/m范围内的仲裁测量方法和常规测量方法。
本文件描述了各类贵金属键合丝(以下简称“键合丝”)热影响区长度的扫描电镜测定方法。 本文件方法一适用于键合金丝热影响区长度的测定。 本文件方法二适用于直径不超过50 μm的纯金属、合金或复合类键合丝的热影响区长度测定。
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本文件描述了用直流四探针法测定液态金属电阻率和电导率的方法。 本文件适用于在室温至300 ℃范围内进行液态金属电阻率和电导率的测定。
本文件规定了用于通过压制和烧结制备疲劳试样的模具模腔的尺寸,使用该模具制备的试样尺寸以及通过烧结和粉末锻造材料机加工试样的尺寸。 本文件适用于所有的烧结金属及合金(不包括硬质合金)。
本文件描述了锂离子电池正极材料磷酸铁锂首次放电比容量及首次充放电效率测试方法。本文件适用于锂离子电池正极材料磷酸铁锂首次放电比容量及首次充放电效率的测试。
本文件描述了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法。 本文件适用于测量电阻率范围为 1×10 5 Ω·cm~1×1012Ω·cm的半绝缘碳化硅单晶片。
本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。 本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。
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