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GB/T 41155-2021 烧结金属材料(不包括硬质合金)疲劳试样 现行 发布日期 :  2021-12-31 实施日期 :  2022-07-01

本文件规定了用于通过压制和烧结制备疲劳试样的模具模腔的尺寸,使用该模具制备的试样尺寸以及通过烧结和粉末锻造材料机加工试样的尺寸。
本文件适用于所有的烧结金属及合金(不包括硬质合金)。

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本文件描述了锂离子电池正极材料磷酸铁锂首次放电比容量及首次充放电效率测试方法。本文件适用于锂离子电池正极材料磷酸铁锂首次放电比容量及首次充放电效率的测试。

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GB/T 42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 现行 发布日期 :  2022-12-30 实施日期 :  2023-04-01

本文件描述了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法。
本文件适用于测量电阻率范围为 1×10 5 Ω·cm~1×1012Ω·cm的半绝缘碳化硅单晶片。

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GB/T 24578-2024 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法 现行 发布日期 :  2024-07-24 实施日期 :  2025-02-01

本文件描述了半导体镜面晶片表面深度为5 nm以内金属元素的全反射X射线荧光光谱(TXRF)测试方法。
本文件适用于硅、绝缘衬底上的硅(SOI)、锗、碳化硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、锑化镓等单晶抛光片或外延片表面金属沾污的测定,尤其适用于晶片清洗后自然氧化层或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定,测定范围:109 atoms/cm2~1 015 atoms/cm2。
本文件规定的方法能够检测周期表中原子序数16(S)~92(U)的元素,尤其适用于钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅等金属元素。

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GB/T 2522-2017 电工钢带(片)涂层绝缘电阻和附着性测试方法 现行 发布日期 :  2017-07-12 实施日期 :  2018-04-01

本标准规定了电工钢带(片)涂层绝缘电阻和附着性的测试方法。本标准适用于无取向和取向电工钢带(片)表面绝缘电阻和层间电阻的测试,以及无取向和取向电工钢带(片)绝缘涂层附着性的测试。

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This document specifies the method for determining the surface roughness,peak count and waviness for coldrolled metal sheet and strip,including principle,test pieces,measurement requirements,measurement procedures,value rounding of measurement results and test report.

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GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法 现行 发布日期 :  2018-12-28 实施日期 :  2019-11-01

本标准规定了非本征半导体材料导电类型的测试方法。
本标准适用于硅、锗非本征半导体材料导电类型的测试,其他非本征半导体材料可参照本标准测试。本标准方法能保证对均匀的同一导电类型的材料测得可靠结果;对于导电类型不均匀的材料,可在其表面上测出不同导电类型区域。
本标准不适用于分层结构材料(如外延片)导电类型的测试。

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GB/T 1551-2021 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 现行 发布日期 :  2021-05-21 实施日期 :  2021-12-01

本文件规定了用直排四探针法和直流两探针法测试硅单晶电阻率的方法。
本文件适用于硅单晶电阻率的测试,其中直排四探针法可测试的p型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm~8×103 Ω·cm,n型硅单晶电阻率范围为7×10-4 Ω·cm~1.5×104 Ω·cm;直流两探针法适用于测试截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率,测试范围为1×10-3 Ω·cm~1×104 Ω·cm,样品长度与截面最大尺寸之比不小于3:1。硅单晶其他范围电阻率的测试可参照本文件进行。

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GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2024-03-01

本文件规定了非本征硅单晶和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的光电导衰减测试方法。本文件适用于非本征硅单晶和锗单晶中非平衡少数载流子寿命的测试。直流光电导衰减脉冲光法可测试具有特殊尺寸的长方体或圆柱体样品,测试硅单晶的最短寿命值为50 μs,测试锗单晶最短寿命值为10 μs。高频光电导衰减法可测试棒状或块状样品,测试硅单晶和锗单晶的最短寿命值为10 μs。注: 直流光电导衰减方法有两种:直流光电导衰减脉冲光法和直流光电导衰减斩波光法(见附录A)。

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GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2024-03-01

本文件描述了X射线衍射定向和光图定向测定半导体单晶晶向的方法。
本文件适用于半导体单晶晶向的测定。X射线衍射定向法适用于测定硅、锗、砷化镓、碳化硅、氧化镓、氮化镓、锑化铟和磷化铟等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向;光图定向法适用于测定硅、锗等大致平行于低指数原子面的半导体单晶材料的表面取向。

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GB/T 5162-2021 金属粉末 振实密度的测定 现行 发布日期 :  2021-03-09 实施日期 :  2021-10-01

本文件规定了振实密度的测定方法,即粉末在规定条件下在容器中被振实后的密度。

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GB/T 5167-2018 烧结金属材料和硬质合金 电阻率的测定 现行 发布日期 :  2018-09-17 实施日期 :  2019-06-01

本标准规定了烧结金属材料和硬质合金电阻率的测定。

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GB/T 5986-2000 热双金属弹性模量试验方法 现行 发布日期 :  2000-01-03 实施日期 :  2000-08-01

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GB/T 6148-2005 精密电阻合金电阻温度系数测试方法 现行 发布日期 :  2005-09-09 实施日期 :  2006-04-01

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GB/T 6524-2003 金属粉末 粒度分布的测量 重力沉降光透法 现行 发布日期 :  2003-11-03 实施日期 :  2004-05-01

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