【国家标准】半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法

本网站发布时间： 2023-04-03

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标准简介

本文件描述了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法。
本文件适用于测量电阻率范围为 1×10 5 Ω·cm～1×1012Ω·cm的半绝缘碳化硅单晶片。

标准号：
GB/T 42271-2022
标准名称：
半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法
英文名称：
Test method for resistivity of semi-insulating monocrystalline silicon carbide by contactless measurement
标准状态：
现行
发布日期：
2022-12-30
实施日期：
2023-04-01
出版语种：
中文简体

起草人：
彭同华、佘宗静、王大军、张贺、李素青、王波、杨建、袁松、刘立娜
起草单位：
北京天科合达半导体股份有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、安徽长飞先进半导体有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

【国家标准】 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法