【国家标准】碳化硅外延片表面缺陷的测试　激光散射法

本网站发布时间： 2024-03-01

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标准简介

本文件描述了激光散射法测试碳化硅外延片表面缺陷的方法。
本文件适用于4H-SiC外延片的表面缺陷测试。

标准号：
GB/T 42902-2023
标准名称：
碳化硅外延片表面缺陷的测试　激光散射法
英文名称：
Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method
标准状态：
现行
发布日期：
2023-08-06
实施日期：
2024-03-01
出版语种：
中文简体

起草人：
钮应喜、袁松、张会娟、刘敏、仇光寅、李京波、彭铁坤、袁肇耿、杨龙、闫果果
起草单位：
安徽长飞先进半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、安徽芯乐半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、浙江芯科半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、中国科学院半导体研究所
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布部门：
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

【国家标准】 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法