本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片（简称硅片）厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。本标准适用于符合GB/T 12964、GB/T 12965、GB/T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)弯曲度的接触式测量方法。
本标准适用于测量直径不小于25 mm，厚度为不小于180 μm,直径和厚度比值不大于250的圆形硅片的弯曲度。本测试方法的目的是用于来料验收和过程控制。本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。
本标准适用于测量标准直径76 mm、100 mm、125 mm、150 mm、200 mm,电阻率不大于200 Ω·cm厚度不大于1 000 μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。

定价： 24元 / 折扣价： 21 元 加购物车

本标准提供了硅片表面粗糙度测量常用的轮廓仪、干涉仪、散射仪三类方法的测量原理、测量设备和程序，并规定了硅片表面局部或整个区域的标准扫描位置图形及粗糙度缩写定义。
本标准适用于平坦硅片表面的粗糙度测量；也可用于其他类型的平坦晶片材料，但不适用于晶片边缘区域的粗糙度测量。
本标准不适用于带宽空间波长≤10 nm的测量仪器。

定价： 54元 / 折扣价： 46 元 加购物车

本标准规定了空间红外探测器用碲镉汞（HgCdTe）外延材料性能参数的测试方法和测试设备要求。
本标准适用于空间红外探测器用碲镉汞外延材料的参数测试，其他用途的碲镉汞外延材料参数的测试可参照使用。

定价： 59元 / 折扣价： 51 元 加购物车

本标准给出了硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料的各种原生缺陷及其密切相关诱生缺陷的术语及其形貌特征图谱。分析了其产生的原因和消除方法。
本标准适用于硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料生产研究中各种缺陷的检验。硅器件、集成电路的生产研究也可参考本标准。

定价： 120元 / 折扣价： 102 元 加购物车

本文件规定了导电型4H碳化硅(4HSiC)晶体材料缺陷的形貌特征，产生原因和缺陷图谱。本文件适用于半导体行业碳化硅（晶锭、衬底片、外延片及后续工艺)的研发、生产及检测分析等环节。

定价： 104元 / 折扣价： 89 元 加购物车

本标准规定了可用于定量描述圆形半导体晶片表面缺陷的网格图形。本标准适用于标称直径100 mm～200 mm的硅片，也适用于其他半导体材料晶片。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

[STFZ]2.1[ST]〓本标准包括多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过光谱分析法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中痕量杂质的程序。这些痕量杂质包括施主杂质(通常是磷或砷，或二者兼有)、受主杂质(通常是硼或铝，或二者兼有)及碳杂质。
[STFZ]2.2[ST]〓本标准中适用的杂质浓度测定范围：施主和受主杂质为（0.002～100）ppba（十亿分之一原子比），碳杂质为（0.02～15）ppma（百万分之一原子比）。样品中的这些杂质是通过低温红外光谱法或光致发光光谱法分析的。
[STFZ]2.3[ST]〓 本标准仅适用于评价在硅芯上沉积生长的多晶硅棒。

定价： 38元 / 折扣价： 33 元 加购物车

1.1　本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法，本方法使用单色X光源全反射X光荧光光谱的方法定量测定硅单晶抛光衬底表面层的元素面密度。1.2　本标准适用于N型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片，尤其适用于清洗后硅片自然氧化层，或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。

定价： 31元 / 折扣价： 27 元 加购物车

本标准规定了太阳电池用硅单晶的技术要求、试验方法，检验规则以及标志、包装、运输、贮存。
本标准适用于直拉掺杂制备的地面空间太阳电池用硅单晶。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

本标准规定了半导体器件和集成电路制造用硅退火抛光片的要求、试验方法、检验规则等。
本标准适用于线宽180nm、130nm和90nm工艺退火硅片。

定价： 29元 / 折扣价： 25 元 加购物车

定价： 33元 / 折扣价： 29 元 加购物车

本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义。
本标准适用于元素和化合物半导体材料。

定价： 81元 / 折扣价： 69 元 加购物车

1.1　本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。
1.2　本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性，试样可以重复测试，但要求试样具有特殊的条形尺寸和研磨的表面，见表1。

定价： 31元 / 折扣价： 27 元 加购物车