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【国家标准】 硅材料原生缺陷图谱

本网站 发布时间： 2023-01-04
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适用范围：

本标准给出了硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料的各种原生缺陷及其密切相关诱生缺陷的术语及其形貌特征图谱。分析了其产生的原因和消除方法。
本标准适用于硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料生产研究中各种缺陷的检验。硅器件、集成电路的生产研究也可参考本标准。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 30453-2013

  • 标准名称：

    硅材料原生缺陷图谱

  • 英文名称：

    Metallographs collection for original defects of crystalline silicon

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2013-12-31

  • 实施日期：

    2014-10-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.045

  • 中标分类号：

    H80

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    88 页

  • 字数：

    151 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    孙燕、曹孜、翟富义、杨旭、谭卫东、黄笑容、楼春兰、王飞尧、石宇、刘云霞、陈赫、梁洪、罗莉萍、李咏梅、齐步坤、李慧、向磊

  • 起草单位：

    有研半导体材料股份有限公司、东方电气集团峨眉半导体材料有限公司、南京国盛电子有限公司、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、陕西天宏硅材料有限责任公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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