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【国家标准】 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法

本网站 发布时间： 2017-01-04
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适用范围：

1.1　本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法，本方法使用单色X光源全反射X光荧光光谱的方法定量测定硅单晶抛光衬底表面层的元素面密度。1.2　本标准适用于N型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片，尤其适用于清洗后硅片自然氧化层，或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 24578-2009

  • 标准名称：

    硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法

  • 英文名称：

    Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-ray fluorescence spectroscopy

  • 标准状态：

    被代替

  • 发布日期：

    2009-10-30

  • 实施日期：

    2010-06-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    29.045

  • 中标分类号：

    H80

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

出版信息

  • 页数：

    16 页

  • 字数：

    18 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    孙燕 李俊峰 楼春兰 卢立延 张静 翟富义

  • 起草单位：

    有研半导体材料股份有限公司、万向硅峰电子有限公司

  • 归口单位：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

  • 提出部门：

    全国半导体设备和材料标准化技术委员会

  • 发布部门：

    中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准
  • 国家标准计划

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