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- GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
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适用范围:
本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。
本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。
本标准测量氧含量的有效范围从1×1016 at·cm-3至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。
本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。
本标准测量氧含量的有效范围从1×1016 at·cm-3至硅晶体中间隙氧的最大固溶度。
读者对象:
硅晶体含量测定相关人员。
标准号:
GB/T 14144-2009
标准名称:
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
英文名称:
Testing method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon标准状态:
现行-
发布日期:
2009-10-30 -
实施日期:
2010-06-01 出版语种:
中文简体
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