本文件描述了一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元的性能测试方法。本文件中的性能测试方法所测试的性能包括读、电预处理、置位、复位、耐久性和保持性。
本文件适用于柔性和刚性电阻存储器件，且不受器件的工艺和尺寸限制。

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本文件给出了0.80 mm或更小引出端节距的密节距焊盘阵列封装（FLGA）的标准外形图、尺寸及推荐的范围值。

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本文件描述了用于评价柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性的术语和测试方法,包括试验流程和所用设备。本文件还包括环境温度和相对湿度等测试条件的通用要求。本文件中描述的测试方法侧重于评价稳定性,而不是可靠性。

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本文件描述了电子元器件长期贮存过程中数据存储的各方面要求，这些要求是使用长期贮存后的电子元器件所必需的，同时可保持可追溯性或数据链完整性。为了避免存储期间丢失数据，本文件规定了需要与元器件或芯片一起存储的数据类型，以及最佳存储方式。如本文件所定义，长期贮存是指对于计划长期贮存的产品，持续贮存时间超过12个月。本文件还给出了促进电子元器件长期贮存的基本原理、良好的工作实践和一般方法。
注：在GB/T 42706（所有部分)中，术语“元器件”与芯片、晶圆、无源器件以及封装器件具有互换性。

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本文件描述了电子元器件长期贮存方法，以及相关的推荐条件，包括运输、控制以及贮存设施安全。长期贮存是指产品预计贮存时间超过12个月的贮存。本文件提供了有效进行元器件长期贮存的理念、良好工作习惯和一般方法。

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本文件规定了封装或涂覆元器件长期贮存方法和推荐条件，包括运输、控制以及贮存设施安全。长期贮存是指产品预计贮存时间超过12个月的贮存。本文件提供了有效进行封装或涂覆元器件长期贮存的理念、良好工作习惯和一般方法。

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本标准规定了微几何量的评定基本原则、评定要素、评定程序、评定方法以及评定规则。
本标准适用于企业、研究机构、检测机构等从事微机电技术及产品的研究、设计、生产、检测。

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本文件规定了12 in及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片的减薄工艺(以下简称减薄工艺)过程和评价要求。
注： 1 in=2.54 cm。

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本文件描述了半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验方法以及TDDB失效的产品寿命时间估算方法。

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本文件规定了芯粒互联接口的协议层功能要求，对接总线协议的通用传输要求，并规定了对接AXI总线协议、对接HAI协议、对接自定义协议的传输要求及不同协议之间的配置。
本文件适用于芯粒互联接口的设计、制造和应用。

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本标准规定了带状薄膜抗拉性能的试验方法及数据处理。本标准适用于厚度在50 nm到数微米之间且长度和厚度的比值大于300的样品，也可用于MEMS产品带状薄膜结构的质量监控。

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GB/T 38762的本部分建立了线性尺寸的缺省规范操作集（见GB/T 24637.2），并规定了面向“圆柱面”“球面”“圆环面”1）“两相对平行面”以及“两相对平行直线”等尺寸要素类型的线性尺寸若干特定规范操作集。此外，本部分还规定了线性尺寸的规范修饰符及其图样表达。

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