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本文件规定了芯粒互联接口的协议层功能要求,对接总线协议的通用传输要求,并规定了对接AXI总线协议、对接HAI协议、对接自定义协议的传输要求及不同协议之间的配置。 本文件适用于芯粒互联接口的设计、制造和应用。
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本文件界定了芯粒互联接口的术语和定义、缩略语,规定了芯粒互联接口的分层架构以及各层的基本功能,并确立了互联场景和封装类型。 本文件适用于芯粒互联接口的设计、制造和应用。
本文件规定了芯粒互联接口的数据链路层技术要求,包括:传输报文格式、数据错误检测和纠错机制,以及链路状态和功耗管理相关技术要求。 本文件适用于芯粒互联接口的设计、制造和应用。
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本文件规定了芯粒互联接口的基于2D封装的物理层技术要求,包括初始化及训练流程、物理层电气规范、冗余机制、接口物理布局、低功耗控制相关技术要求。 本文件适用于芯粒互联接口的设计、制造和应用。
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本文件规定了基于2.5D封装的物理层技术要求,包括初始化及训练流程、物理层电气特性、冗余机制、接口物理布局和低功耗控制相关技术要求。 本文件适用于芯粒互联接口的设计、制造和应用。
本标准规定了微几何量的评定基本原则、评定要素、评定程序、评定方法以及评定规则。 本标准适用于企业、研究机构、检测机构等从事微机电技术及产品的研究、设计、生产、检测。
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本标准规定了采用SOI硅片进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。 本标准适用于硅基MEMS制造技术中基于SOI硅片的MEMS器件的加工和质量检验。
本标准规定了采用体硅压阻工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。 本标准适用于硅基MEMS制造技术中基于背腔腐蚀和硅玻璃键合的体硅压阻加工工艺的加工和质量检验。
本标准规定了采用以深刻蚀与键合为核心的工艺集成进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。本标准适用于基于以深刻蚀与键合为核心的工艺集成的加工和质量检验。
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本标准规定了倒装焊集成电路封装工艺中凸点共面性、凸点剪切力、芯片剪切拉脱力、焊点缺陷、底部填充缺陷等方面相关的物理试验方法。本标准适用于陶瓷封装或塑料封装的倒装焊单片集成电路。
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GB/T 35010的本部分给出了半导体芯片产品操作、包装和贮存过程中的一般要求。本部分适用于指导半导体芯片产品(以下简称芯片产品)的操作、包装、贮存和使用。本部分所指的半导体芯片产品包括:--晶圆;--单个裸芯片;--带有互连结构的芯片和晶圆;--最小或部分封装芯片和晶圆。
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GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用,半导体芯片产品包括:●〓晶圆;●〓单个裸芯片;●〓带有互连结构的芯片和晶圆;●〓最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了所需的热仿真信息,在于促进电子系统热学行为和功能验证仿真模型的使用。电子系统包括带或不带互连结构的半导体裸芯片,和(或)最小封装的半导体芯片。本部分是为了使芯片产品供应链所有的环节都满足IEC 622581和IEC 622582的要求。
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GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用。其中半导体芯片产品包括:●〓晶圆;●〓单个裸芯片;●〓带有互连结构的芯片和晶圆;●〓最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了数据交换所需元素的EXPRESS格式;满足IEC 622581、IEC 622585及IEC 622586的实施要求;补充IEC 622582中定义的数据交换结构;兼容且补充IEC 622584中的信息表。
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