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本标准规定了倒装焊集成电路封装工艺中凸点共面性、凸点剪切力、芯片剪切拉脱力、焊点缺陷、底部填充缺陷等方面相关的物理试验方法。本标准适用于陶瓷封装或塑料封装的倒装焊单片集成电路。
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GB/T 35010的本部分给出了半导体芯片产品操作、包装和贮存过程中的一般要求。本部分适用于指导半导体芯片产品(以下简称芯片产品)的操作、包装、贮存和使用。本部分所指的半导体芯片产品包括:--晶圆;--单个裸芯片;--带有互连结构的芯片和晶圆;--最小或部分封装芯片和晶圆。
GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用,半导体芯片产品包括:●〓晶圆;●〓单个裸芯片;●〓带有互连结构的芯片和晶圆;●〓最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了所需的热仿真信息,在于促进电子系统热学行为和功能验证仿真模型的使用。电子系统包括带或不带互连结构的半导体裸芯片,和(或)最小封装的半导体芯片。本部分是为了使芯片产品供应链所有的环节都满足IEC 622581和IEC 622582的要求。
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GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用。其中半导体芯片产品包括:●〓晶圆;●〓单个裸芯片;●〓带有互连结构的芯片和晶圆;●〓最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了数据交换所需元素的EXPRESS格式;满足IEC 622581、IEC 622585及IEC 622586的实施要求;补充IEC 622582中定义的数据交换结构;兼容且补充IEC 622584中的信息表。
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本标准规定了MEMS电场传感器(以下简称“传感器”)的原材料、结构组成、技术要求、试验项目和方法、检验规则、包装、存储和运输。 本标准适用于MEMS电场传感器的研制、生产和采购。其他类型的电场传感器可参照使用。
本标准规定了半导体集成电路存储器的引出端排列。本标准适用于半字节动态存储器、字宽动态存储器、字节宽动态存储器、半字节同步动态存储器、字节宽同步动态存储器、字宽同步动态存储器的引出端排列。
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本标准规定了采用SOI硅片进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。 本标准适用于硅基MEMS制造技术中基于SOI硅片的MEMS器件的加工和质量检验。
本标准规定了采用体硅压阻工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。 本标准适用于硅基MEMS制造技术中基于背腔腐蚀和硅玻璃键合的体硅压阻加工工艺的加工和质量检验。
本标准规定了采用以深刻蚀与键合为核心的工艺集成进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求。本标准适用于基于以深刻蚀与键合为核心的工艺集成的加工和质量检验。
本标准规定了带状薄膜抗拉性能的试验方法及数据处理。本标准适用于厚度在50 nm到数微米之间且长度和厚度的比值大于300的样品,也可用于MEMS产品带状薄膜结构的质量监控。
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