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【国家标准】 半导体器件　柔性可拉伸半导体器件　第9部分：一晶体管一电阻式(1T1R)电阻存储单元性能测试方法

本网站 发布时间： 2026-03-30
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适用范围：

本文件描述了一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元的性能测试方法。本文件中的性能测试方法所测试的性能包括读、电预处理、置位、复位、耐久性和保持性。
本文件适用于柔性和刚性电阻存储器件，且不受器件的工艺和尺寸限制。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 47239.9-2026

  • 标准名称：

    半导体器件　柔性可拉伸半导体器件　第9部分：一晶体管一电阻式(1T1R)电阻存储单元性能测试方法

  • 英文名称：

    Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 9:Performance testing methods of one transistor and one resistor(1T1R) resistive memory cells

  • 标准状态：

    即将实施

  • 发布日期：

    2026-02-27

  • 实施日期：

    2026-09-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31.080.99

  • 中标分类号：

    L55

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

    《半导体器件　柔性可拉伸半导体器件　第9部分:一晶体管一电阻式(1T1R)电阻存储单元性能测试方法》 MOD 修改采用

出版信息

  • 页数：

    20 页

  • 字数：

    30 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    沈磊、孙建军、俞剑、刘山佳、时拓、周睿晰、刘津畅、王明、崔波、陈海蓉、张丽静

  • 起草单位：

    上海复旦微电子集团股份有限公司、之江实验室、复旦大学、中国电子科技集团公司第十三研究所

  • 归口单位：

    全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)

  • 提出部门：

    中华人民共和国工业和信息化部

  • 发布部门：

    国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
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