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本文件规定了关于单片微波集成电路的设计、制造和交付的术语、定义、符号、质量体系、测试、评价、验证方法以及其他要求。

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GB/T 20870.4-2024 半导体器件 第16-4部分:微波集成电路 开关 现行 发布日期 :  2024-10-26 实施日期 :  2024-10-26

本文件界定了微波集成电路开关的术语和定义,规定了额定值和特性,描述了测试方法。
开关的射频端口有多种组合,如单刀单掷(SPST)、单刀双掷(SPDT)、单刀三掷(SP3T)、双刀双掷(DPDT)等。本文件基于SPDT型开关,其他类型的开关也适用。

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GB/T 20870.5-2023 半导体器件 第16-5部分:微波集成电路 振荡器 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-01-01

本文件规定了微波集成电路振荡器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。本文件适用于固定频率振荡器和微波压控振荡器,需要外部控制器的振荡器模块(如合成器)除外。注: 本文件不适用于IEC 606791规定的石英晶体振荡器。

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GB/T 7509-1987 半导体集成电路微处理器空白详细规范(可供认证用) 现行 发布日期 :  1987-03-25 实施日期 :  1987-11-01

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GB/T 35008-2018 串行NOR型快闪存储器接口规范 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

本标准规定了串行或非(NOR)型快闪存储器(以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于地址为24位的串行NOR型快闪存储器的设计和使用。

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GB/T 35009-2018 串行NAND型快闪存储器接口规范 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

本标准规定了串行与非(NAND)型快闪存储器(以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于串行NAND型快闪存储器的设计和使用。

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GB/T 3436-1996 半导体集成电路 运算放大器系列和品种 现行 发布日期 :  1996-07-09 实施日期 :  1997-01-01

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GB/T 6648-1986 半导体集成电路静态读/写存储器空白详细规范(可供认证用) 现行 发布日期 :  1986-07-30 实施日期 :  1987-07-31

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本分规范适用于已封装的半导体集成电路,包括多片集成电路,但不包括混合电路。

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GB/T 14028-2018 半导体集成电路 模拟开关测试方法 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

本标准规定了双极、MOS、结型场效应半导体集成电路模拟开关(以下称为器件)参数测试方法。本标准适用于半导体集成电路模拟开关,也适用于多路转换器参数的测试。

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GB/T 14112-2015 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范 现行 发布日期 :  2015-05-15 实施日期 :  2016-01-01

本标准规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。本标准适用于双列(DIP)冲制型引线框架。单列冲制型引线框架亦可参照使用。

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GB/T 14115-1993 半导体集成电路采样/保持放大器测试方法的基本原理 现行 发布日期 :  1993-01-21 实施日期 :  1993-08-01

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