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GB/T 42838-2023 半导体集成电路 霍尔电路测试方法 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2023-12-01

本文件规定了半导体集成电路霍尔电路(以下称为器件)电特性测试方法。本文件适用于半导体集成电路霍尔电路电特性的测试。

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GB/T 42848-2023 半导体集成电路 直接数字频率合成器测试方法 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2023-12-01

本文件规定了半导体集成电路中直接数字频率合成器(以下简称“器件”)电特性的通用测试方法。本文件适用于单通道及多通道直接数字频率合成器电路的测试。

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GB/T 42968.1-2023 集成电路 电磁抗扰度测量 第1部分:通用条件和定义 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-01-01

本文件定义了集成电路(IC)传导和辐射骚扰电磁抗扰度测量的通用信息,描述了常规的试验条件、试验设备和布置、试验程序和试验报告内容。附录A中给出了试验方法的对照表,帮助选择适当的测量方法。

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本文件描述了集成电路(IC)对射频(RF)辐射电磁骚扰的抗扰度测量方法。本文件适用的频率范围为150 kHz~1 GHz或为TEM小室和宽带TEM小室的特性决定的频率范围。

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GB/T 42968.3-2025 集成电路 电磁抗扰度测量 第3部分:大电流注入(BCI)法 现行 发布日期 :  2025-12-02 实施日期 :  2025-12-02

本文件描述了在传导射频(RF)骚扰存在的情况下利用大电流注入(BCI)法测量集成电路(IC)抗扰度的试验方法,例如,由辐射RF骚扰引起的传导RF骚扰。这种方法仅用于有板外连线的IC,例如连接到电缆束。本试验方法把RF电流注入到一根或一组线缆。
本文件为设备中的半导体器件在无用RF电磁波环境下工作时的评估建立公共基础。

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本文件规定了在传导射频(RF)骚扰存在的情况下集成电路(IC)抗扰度的测量方法,例如,由辐射RF骚扰引起的传导RF骚扰。本方法确保抗扰度测量的高度可重复性和相关性。
本文件为设备中的半导体器件在无用RF电磁波环境下工作时的评估建立公共基础。

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本文件描述了评估近电场、近磁场或近电磁场分量对集成电路(IC)影响的测量方法。本测量方法旨在用于IC的架构分析,例如平面规划和配电优化。本测量方法也可用于测量扫描探头能够靠近的、安装在任何电路板上的IC。某些情况下,本测量方法不仅可扫描IC,还可扫描IC的环境。为了对比不同IC的表面扫描抗扰度,宜使用IEC 62132-1规定的标准试验板。
本测量方法提供了IC对其上方的电场或磁场近场骚扰的敏感度(抗扰度)图。测量探头的性能和探头定位系统的精度决定了测量的分辨率。本方法预期使用的最高频率为6 GHz。使用现有探头技术可扩展上限频率范围,但这超出了本文件的范围。本测量方法使用连续波(CW)、幅度调制(AM)或脉冲调制(PM)信号在频域进行。

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GB/T 42969-2023 元器件位移损伤试验方法 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-01-01

本文件描述了元器件位移损伤的试验方法。本文件适用于光电集成电路和分立器件,如电荷耦合器件(CCD)、光电耦合器、图像敏感器(APS)、光敏管等,用质子、中子进行位移损伤辐照试验。其他元器件的位移损伤辐照试验参照进行。

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GB/T 42970-2023 半导体集成电路 视频编解码电路测试方法 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-01-01

本文件描述了半导体集成电路视频编解码(video encoder and decoder)电路中的模拟视频接口类电路(以下简称“器件”)电特性测试方法。
本文件适用于视频编解码电路中的模拟视频接口类电路的测试。

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GB/T 42974-2023 半导体集成电路 快闪存储器(FLASH) 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-01-01

本文件规定了快闪存储器(FLASH)的分类、技术要求、电测试方法和检验规则。
本文件适用于FLASH的设计、制造、采购、验收。

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GB/T 42975-2023 半导体集成电路 驱动器测试方法 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-01-01

本文件规定了半导体集成电路驱动器(以下简称器件)的电特性测试方法的基本原理和测试程序。本文件适用于74/54系列驱动器、总线驱动器、PIN开关驱动器、达林顿驱动器、时钟驱动器、LVDS驱动器、MOSFET驱动器和差分驱动器等各种半导体工艺制造的驱动器的电性能测试。其他类别驱动器的测试参考使用。

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GB/T 43454-2023 集成电路知识产权(IP)核设计要求 现行 发布日期 :  2023-12-28 实施日期 :  2023-12-28

本文件规定了集成电路知识产权(IP)核的设计开发过程中的一般要求和详细设计要求。
本文件适用于集成电路IP核的开发、转让和集成过程。

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GB/T 43455-2023 模拟/混合信号知识产权(IP)核质量评测 现行 发布日期 :  2023-12-28 实施日期 :  2024-04-01

本文件规定了模拟/混合信号知识产权(IP)核质量的评测内容,包括IP核的文档质量、IP核的电路设计质量、物理设计质量、模型质量、IP核功能验证质量和IP核流片验证质量等。本文件适用于模拟/混合信号IP核的提供者、使用者和第三方评测模拟/混合信号IP核的质量,包括完备性和可复用性,并不涵盖具体功能和性能的评测。

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GB/T 43536.2-2023 三维集成电路 第2部分:微间距叠层芯片的校准要求 现行 发布日期 :  2023-12-28 实施日期 :  2024-04-01

本文件规定了在芯片键合过程中使用多个叠层集成电路之间初始校准和校准保持的要求。定义了校准标记和操作步骤。本文件只适用于使用电耦合方法进行的芯片间校准。

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GB/T 44635-2024 静电放电敏感度试验 传输线脉冲 器件级 现行 发布日期 :  2024-09-29 实施日期 :  2024-09-29

本文件定义了一种传输线脉冲(TLP)试验方法,用于评估被测半导体器件的电压电流响应,并考量静电放电(ESD)人体模型(HBM)防护的设计参数。本文件建立了一种与TLP有关的试验和报告信息的方法。本文件的范围和重点涉及半导体器件的TLP试验技术。本文件不是HBM试验标准(例如IEC 6074926)的替代方法。本文件的目的是建立TLP方法的指南,以便提取半导体器件的HBM ESD参数。本文件提供了使用TLP正确提取HBM ESD参数的标准测量和程序。

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