本标准规定了厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的生产和采购,采用厚膜工艺的片式元件用氧化铝陶瓷基片（以下简称基片）也可参照使用。

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GB/T 5594的本部分规定了装置零件、真空电子器件、电阻基体、半导体及集成电路基片等用电子陶瓷材料介电常数和介质损耗角正切值的测试方法。本部分适用于装置零件、真空电子器件、电阻基体、半导体及集成电路基片等用电子陶瓷材料在频率为1 MHz ，温度从室温至500 ℃条件下的介电常数和介质损耗角正切值的测试。

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GB/T 5594的本部分规定了氧化铝瓷、氧化铍瓷、镁橄榄石、氮化物陶瓷等电子陶瓷透液性的检验方法。本部分适用于品红溶液检验法（俗称吸红法）来检验电子陶瓷表面及内部的不正常孔隙、微裂纹及是否生烧。

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本部分规定了荧光粉牌号的表示方法。本部分适用于光致发光荧光粉、阴极射线致发光荧光粉、电致发光荧光粉、放射线致发光荧光粉及其他方式致发光荧光粉。

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本部分规定了荧光粉水溶性氯化物、密度、粒度分布、相对亮度、相对光谱功率分布、色品坐标、紫外辐照稳定性、余辉相对亮度、比表面积、流明效率、余辉时间、热稳定性、湿粘着力、干粘着力、反射率、温度特性、pH值、电导率的测试方法。本部分适用于荧光粉的性能测试，其中，紫外辐照稳定性、余辉相对亮度和比表面积的测试方法仅适用于光致发光荧光粉，流明效率、余辉时间、热稳定性、湿粘着力、干粘着力、反射率的试验方法仅适用于阴极射线致发光荧光粉。

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本部分规定了Y22G3、Y22B2、Y22R4荧光粉的要求、测试方法、检验规则、标志以及包装、运输和储存等。本部分适用于彩色显像管用荧光粉。

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本标准界定了吸气剂一般术语、分类术语及特性术语。本标准适用于真空器件用吸气剂。

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本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM)、光致发光（PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。

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本文件提供了在商用碳化硅（SiC）同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例，为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。
本文件主要论述缺陷的无损表征方法，因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。

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本文件提供了商用碳化硅(4H-SiC)同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例，为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。

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本文件给出了点扫描法测定平板显示器基板玻璃应力的试验原理，描述了点扫描法的试验装置、试验条件、试样要求、试验步骤、结果表示、试验报告。本文件适用于厚度为0.3 mm~1.1 mm、规格为11代及以下的平板显示器基板玻璃应力测试，其他玻璃材料参考使用。

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