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本文件规定了氧化铝在300 ℃和1 000 ℃下质量损失的测定方法。用水分(MOI)表示原始试样经300 ℃干燥后的质量损失。用灼减(LOI)表示300 ℃预先干燥试样在1 000 ℃下灼烧的质量损失。
本文件适用于氧化铝中质量损失的测定,300 ℃质量损失测定范围:0.20%~5.00%,1 000 ℃质量损失的测定范围:0.10%~2.00%。仪器分析不作为仲裁试验方法。

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GB/T 29504-2013 300 mm硅单晶 现行 发布日期 :  2013-05-09 实施日期 :  2014-02-01

本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm~20 Ω·cm硅单晶的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于由直拉法制备的硅单晶,主要用于制作满足集成电路IC用线宽0.13 μm及以下技术需求的300 mm硅单晶抛光片。

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GB/T 29506-2013 300 mm硅单晶抛光片 现行 发布日期 :  2013-05-09 实施日期 :  2014-02-01

本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm~20 Ω·cm规格的硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于直径300 mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足集成电路IC用线宽90 nm技术需求的衬底片。

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GB/T 29508-2013 300 mm硅单晶切割片和磨削片 现行 发布日期 :  2013-05-09 实施日期 :  2014-02-01

本标准规定了直径300 mm、p型、<100>晶向、电阻率0.5Ω·cm~20Ω·cm的硅单晶切割片和磨削片(简称硅片)产品的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于直径300 mm直拉单晶经切割、磨削制备的圆形硅片,产品将进一步加工成抛光片,用于制作集成电路IC用线宽90 nm技术需求的衬底片。

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GB/T 6609的本部分规定了氧化铝在300 ℃和1 000 ℃下质量损失的测定方法。依照惯例,用水分(MOI)表示300 ℃的质量损失,用灼减(LOI)表示1 000 ℃的质量损失。
本部分适用于焙烧的氧化铝中质量损失的测定。300 ℃质量损失的测定范围:0.2%~5%;1 000 ℃质量损失的测定范围:0.1%~2%。
本部分规定在测量样品MOI和LOI值时,需提供测量结果的原始数据。为了提高样品的分析精密度,样品应该在分析前进行空气平衡,空气平衡能显著影响MOI和LOI的测量结果。空气平衡的步骤和造成的影响见附录A。
本部分还将涉及到仪器分析方法。

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GB/T 14143-1993 300~900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法 被代替 发布日期 :  1993-02-06 实施日期 :  1993-10-01

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