本文件规定了塑封电子元器件进行声学显微镜检查的程序。本文件提供了一种使用声学显微镜对塑料封装进行缺陷（分层、裂纹、模塑料空洞等）检查的方法，本方法具有可重复性，是非破坏性试验。

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本文件规定了光电二极管（以下简称“PDs”）和光电晶体管（以下简称“PTs”）的术语、基本额定值和特性以及测试方法。本文件适用于光电二极管和光电晶体管。

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本文件规定了光电耦合器的基本额定值、特性、安全试验及测试方法。

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本文件规定了激光显示器件单色散斑对比度的标准测量条件和测量方法。本文件适用于全部为激光光源以及包含激光光源（一个或多个)和自发辐射光源（例如发光二极管)的混合型光源的激光显示器件。〓〓注： 单色散斑对比度测量不包含图像质量的内容。

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本文件描述了一种确定半导体器件对热应力和机械应力耐受能力的方法，通过对器件内部芯片和连接结构施加循环耗散功率来实现。试验时，周期性施加和移除正向偏置（负载电流)，使其温度快速变化。本试验是模拟电力电子的典型应用，也是对高温工作寿命（见IEC 60749-23)的补充。其失效机理可能不同于空气对空气温度循环试验及双液槽法快速温变试验。本试验会导致损伤，是破坏性试验。

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本文件提供了在商用碳化硅（SiC）同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例，为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。
本文件主要论述缺陷的无损表征方法，因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。

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本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM)、光致发光（PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。

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本文件提供了商用碳化硅(4H-SiC)同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例，为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。

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本文件界定了激光显示器件及相关组件所优选的术语、定义和符号。
本文件适用于采用激光作为光源的激光显示器件。

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本文件描述了通信用光器件的相对频率响应、绝对频率响应、工作带宽、频响平坦度、相位、群时延、传输系数、反射系数、阻抗、互调失真等频响参数测试的原理,测试条件及要求,测试仪器,测试参数及测试方法。
本文件适用于电光器件、光电器件和光光器件等通信用光器件的频响参数测试。

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本文件规定了一般工业应用的发光二极管（LED）的术语、基本额定值和特性、测试方法和质量评定，涉及信号器、控制器、传感器等。本文件不包括照明用LED。LED分为以下五种类型：a)〓LED器件；b)〓LED平面发光器件；c)〓LED数字显示和字母数字显示；d)〓显示用点阵LED；e)〓红外发射二极管（IR LED）；f)〓紫外发射二极管（UV LED）。本文件包括带有散热器或具有同等散热器功能的LED。

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本文件给出了下列几种类型双极型晶体管(微波晶体管除外)的有关要求：--小信号晶体管（开关和微波用除外）；--线性功率晶体管（开关、高频和微波用除外）；--放大和振荡用高频功率晶体管；--高速开关和电源开关用开关晶体管；--电阻偏置晶体管。

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本文件依据元器件和微电路对规定的人体模型（HBM）静电放电（ESD）所造成损伤或退化的敏感度，建立了元器件和微电路的ESD测试、评价和分级程序。本文件的目的是建立一种能够复现HBM失效的测试方法，并为不同类型的元器件提供可靠、可重复的HBM ESD测试结果，且测试结果不因测试设备而改变。重复性数据可以保证HBM ESD敏感度等级的准确划分及对比。半导体器件的ESD测试从本测试方法、机器模型（MM）测试方法（见IEC 6074927）或IEC 60749（所有部分）中的其他ESD测试方法中选择。除另有规定外，本测试方法为所选方法。

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本文件规定了微波集成电路振荡器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。本文件适用于固定频率振荡器和微波压控振荡器，需要外部控制器的振荡器模块(如合成器)除外。注： 本文件不适用于IEC 606791规定的石英晶体振荡器。

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本文件规定了关于单片微波集成电路的设计、制造和交付的术语、定义、符号、质量体系、测试、评价、验证方法以及其他要求。

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