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本文件规定了关于单片微波集成电路的设计、制造和交付的术语、定义、符号、质量体系、测试、评价、验证方法以及其他要求。

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GB/T 42969-2023 器件位移损伤试验方法 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-01-01

本文件描述了元器件位移损伤的试验方法。本文件适用于光电集成电路和分立器件,如电荷耦合器件(CCD)、光电耦合器、图像敏感器(APS)、光敏管等,用质子、中子进行位移损伤辐照试验。其他元器件的位移损伤辐照试验参照进行。

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GB/T 43023-2023 射频声表面波(SAW)器件和体声波(BAW)器件的非线性测量指南 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-01-01

本文件规定了通信、测量仪器、雷达系统及消费电子产品等用射频(RF)声表面波(SAW)器件和体声波(BAW)器件(如滤波器、双工器等)的非线性信号的测量方法。
本文件包括非线性的基本特性及测量指南,适用于射频SAW/BAW器件测量系统的建立及相应测量程序的制定。
本文件的目的不是解释理论,也不是试图覆盖实际环境中出现的所有可能情况,是要让用户在为新应用订购射频SAW/BAW器件前注意到某些更基本的问题,以保证用户得到满意的器件性能。

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本文件的目的是检查膜集成电路和混合膜集成电路(FICs和HFICs,以下简称器件)内部的材料、结构和制造工艺。通常在封帽或包封前进行该项检验,从而找出并剔除带有内部缺陷的器件。这种缺陷会导致器件在正常应用中失效。其他的验收准则应与购买商或供应商商定。

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GB/T 20870.2-2023 半导体器件 第16-2部分: 微波集成电路 预分频器 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2023-09-07

本文件规定了微波集成电路预分频器的术语、字母符号、基本额定值、特性以及测试方法。

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GB/T 37977.51-2023 静电学 第5-1部分:电子器件的静电防护 通用要求 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2024-03-01

本文件规定了ESD控制程序的要求,IEC TR 6134052提供了相关的实施指南。本文件适用于对静电敏感度不低于人体模型(HBM)100 V、带电器件模型(CDM )200 V和孤立导体35 V的电气、电子元件、组件和设备进行的制造、加工、组装、安装、包装、标识、服务、测试、检验、运输以及其他生产活动。处理具有更低静电敏感电压阈值的静电放电敏感产品时,可根据需要增加控制要素或调整限值,仍可视为符合本文件的要求。本文件不适用于电引爆设备、易燃液体、气体和粉体。本文件的目的是为建立、实施和维护ESD控制程序(以下简称“程序”)提供管理和技术要求。注: 孤立导体曾用机器模型(MM)表示。

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GB/T 42709.19-2023 半导体器件 微电子机械器件 第19部分:电子罗盘 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2024-03-01

本文件界定了电子罗盘的术语和定义,规定了基本额定值和特性,描述了相应测试方法。本文件适用于由磁传感器和加速度传感器组成的电子罗盘,或单独由磁传感器组成的电子罗盘。本文件适用于移动电子设备用电子罗盘。
对于海洋电子罗盘的相关要求见ISO 11606。
本文件适用的电子罗盘种类包括两轴电子罗盘、三轴电子罗盘和六轴电子罗盘等。

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本文件界定了用于射频控制和选择的MEMS体声波谐振器、滤波器和双工器的术语和定义,给出了基本额定值和特性,描述了测试方法,用于评估和确定其性能。本文件规定了体声波谐振器、滤波器和双工器的试验方法和通用要求,用于能力批准程序或鉴定批准程序的质量评定。

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本文件适用于半导体器件(分立器件和集成电路),以下简称器件。
本文件用于确定器件是否由于外部发热造成燃烧。本试验使用针焰,模拟内部装有元器件的设备在故障条件下可能引起的小火焰的影响。
注:除了本章增加的内容以及第2章和第4章增加了标题并重新编号外,本试验方法与IEC 60749(1996)第4章1.2的试验方法一致。

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本文件适用于半导体器件(分立器件和集成电路),以下简称器件。
本文件用于确定器件是否由于过负荷引起内部发热而燃烧。

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本文件依据半导体器件对规定的机器模型(MM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了半导体器件ESD测试和分级的标准程序。本文件相对于人体模型ESD,用作一种可选的测试方法,目的是提供可靠、可重复的ESD测试结果,以此进行准确分级。本文件适用于半导体器件,属于破坏性试验。半导体器件的ESD测试从本文件、人体模型(HBM见GB/T 4937.26)或GB/T 4937系列中的其他测试方法中选择。MM与HBM测试的结果相似但不完全相同。除另有规定外,HBM测试方法为所选方法。

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本文件描述了随时间的推移,偏置条件和温度对固态器件影响的试验方法。该试验以加速寿命模式模拟器件工作,主要用于器件的鉴定和可靠性检验。短期的高温偏置寿命通常称之为老炼,可用于筛选试验中剔除早期失效产品。本文件未规定老炼的详细要求和应用。

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本文件描述了评价半导体器件耐高温高湿环境能力的试验方法。
本文件适用于评价塑封半导体器件和其他类型封装半导体器件的芯片金属化互连耐腐蚀能力。也可作为由于湿气通过钝化层渗透而导致漏电的加速方法,以及多种试验前的预处理方法。

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GB/T 42706.2-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第2部分:退化机理 现行 发布日期 :  2023-05-23 实施日期 :  2023-09-01

本文件描述了电子元器件在实际贮存条件下随时间推移的退化机理和退化方式,以及评估一般退化机理的试验方法。通常本文件与IEC 624351一起使用,用于预计贮存时间超过12个月的长期贮存器件。特定类型电子元器件的退化机理在IEC 624355~IEC 624359中加以规定。

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本文件规定了单个芯片、部分晶圆或整个晶圆,以及带金属结构(引入金属层、植球植柱等)芯片的贮存条件和规则,同时为含有芯片或晶圆的通用和专用封装产品提供了操作指导。
本文件适用于预计贮存时间超过12个月的芯片和晶圆的长期贮存。

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