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本文件规定了塑封电子元器件进行声学显微镜检查的程序。本文件提供了一种使用声学显微镜对塑料封装进行缺陷(分层、裂纹、模塑料空洞等)检查的方法,本方法具有可重复性,是非破坏性试验。

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GB/T 15651.7-2024 半导体器件 第5-7部分:光电子器件 光电二极管和光电晶体管 即将实施 发布日期 :  2024-03-15 实施日期 :  2024-07-01

本文件规定了光电二极管(以下简称“PDs”)和光电晶体管(以下简称“PTs”)的术语、基本额定值和特性以及测试方法。本文件适用于光电二极管和光电晶体管。

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GB/T 15651.5-2024 半导体器件 第5-5部分:光电子器件 光电耦合器 即将实施 发布日期 :  2024-03-15 实施日期 :  2024-07-01

本文件规定了光电耦合器的基本额定值、特性、安全试验及测试方法。

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GB/T 15651.6-2023 半导体器件 第5-6部分:光电子器件 发光二极管 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-04-01

本文件规定了一般工业应用的发光二极管(LED)的术语、基本额定值和特性、测试方法和质量评定,涉及信号器、控制器、传感器等。本文件不包括照明用LED。LED分为以下五种类型:a)〓LED器件;b)〓LED平面发光器件;c)〓LED数字显示和字母数字显示;d)〓显示用点阵LED;e)〓红外发射二极管(IR LED);f)〓紫外发射二极管(UV LED)。本文件包括带有散热器或具有同等散热器功能的LED。

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GB/T 37977.51-2023 静电学 第5-1部分:电子器件的静电防护 通用要求 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2024-03-01

本文件规定了ESD控制程序的要求,IEC TR 6134052提供了相关的实施指南。本文件适用于对静电敏感度不低于人体模型(HBM)100 V、带电器件模型(CDM )200 V和孤立导体35 V的电气、电子元件、组件和设备进行的制造、加工、组装、安装、包装、标识、服务、测试、检验、运输以及其他生产活动。处理具有更低静电敏感电压阈值的静电放电敏感产品时,可根据需要增加控制要素或调整限值,仍可视为符合本文件的要求。本文件不适用于电引爆设备、易燃液体、气体和粉体。本文件的目的是为建立、实施和维护ESD控制程序(以下简称“程序”)提供管理和技术要求。注: 孤立导体曾用机器模型(MM)表示。

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GB/T 42709.19-2023 半导体器件 微电子机械器件 第19部分:电子罗盘 现行 发布日期 :  2023-08-06 实施日期 :  2024-03-01

本文件界定了电子罗盘的术语和定义,规定了基本额定值和特性,描述了相应测试方法。本文件适用于由磁传感器和加速度传感器组成的电子罗盘,或单独由磁传感器组成的电子罗盘。本文件适用于移动电子设备用电子罗盘。
对于海洋电子罗盘的相关要求见ISO 11606。
本文件适用的电子罗盘种类包括两轴电子罗盘、三轴电子罗盘和六轴电子罗盘等。

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本文件界定了用于射频控制和选择的MEMS体声波谐振器、滤波器和双工器的术语和定义,给出了基本额定值和特性,描述了测试方法,用于评估和确定其性能。本文件规定了体声波谐振器、滤波器和双工器的试验方法和通用要求,用于能力批准程序或鉴定批准程序的质量评定。

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GB/T 42706.2-2023 电子器件 半导体器件长期贮存 第2部分:退化机理 现行 发布日期 :  2023-05-23 实施日期 :  2023-09-01

本文件描述了电子元器件在实际贮存条件下随时间推移的退化机理和退化方式,以及评估一般退化机理的试验方法。通常本文件与IEC 624351一起使用,用于预计贮存时间超过12个月的长期贮存器件。特定类型电子元器件的退化机理在IEC 624355~IEC 624359中加以规定。

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本文件规定了单个芯片、部分晶圆或整个晶圆,以及带金属结构(引入金属层、植球植柱等)芯片的贮存条件和规则,同时为含有芯片或晶圆的通用和专用封装产品提供了操作指导。
本文件适用于预计贮存时间超过12个月的芯片和晶圆的长期贮存。

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GB/T 42709.5-2023 半导体器件 微电子机械器件 第5部分:射频MEMS开关 现行 发布日期 :  2023-05-23 实施日期 :  2023-09-01

本文件界定了用于评估和确定射频MEMS开关的基本额定值和特性的术语、定义和符号,描述了参数测试方法。本文件适用于各种类型的射频MEMS开关,射频MEMS开关的一般说明见附录A。按接触方式分类,包括直流触点型开关和电容触点型开关;按结构分类,包括串联开关和并联开关,射频MEMS开关的几何结构说明见附录B;按开关网络分类,包括单刀单掷开关、单刀双掷开关和双刀双掷开关等;按驱动方式分类,包括静电驱动开关、热电驱动开关、电磁驱动开关和压电驱动开关等。射频MEMS开关在多频带或多模式移动电话、智能雷达系统、可重构射频器件和系统、SDR(软件无线电)电话、测试设备、可调谐器件和系统、卫星等方面应用广泛,射频MEMS开关的应用说明见附录E。

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GB/T 42706.1-2023 电子器件 半导体器件长期贮存 第1部分:总则 现行 发布日期 :  2023-05-23 实施日期 :  2023-09-01

本文件界定了半导体器件长期贮存的相关术语、定义和原理。长期贮存作为一种延缓淘汰的策略,是指产品预计贮存时间超过12个月的贮存。本文件提供了有效进行元器件长期贮存的理念、良好工作习惯和一般方法。

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GB/T 39722-2020 超导电子器件 传感器和探测器通用规范 现行 发布日期 :  2020-12-14 实施日期 :  2021-07-01

本标准给出了超导传感器和探测器的通用规范,这些是IEC 61788其他部分中对各种类型传感器和探测器的规范的基础。所述传感器和探测器主要由超导材料组成并依赖于超导或相关现象。被测目标(物理量)包括磁场、电磁波、不同能量光子、电子、粒子、α粒子及其他。

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GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范 现行 发布日期 :  2018-06-07 实施日期 :  2019-01-01

本空白详细规范是半导体光电子器件的一系列空白详细规范之一。

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GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范 现行 发布日期 :  2018-06-07 实施日期 :  2019-01-01

本空白详细规范是半导体光电子器件的一系列空白详细规范之一

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GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范 现行 发布日期 :  2018-06-07 实施日期 :  2019-01-01

本空白详细规范是半导体光电子器件的一系列空白详细规范之一。

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