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GB/T 35007-2018 半导体集成电路 低电压差分信号电路测试方法 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

本标准规定了半导体集成电路 低电压差分信号(LVDS,low voltage differential signaling)电路(以下称为“器件”)静态参数、动态参数测试方法的基本原理。本标准适用于低电压差分信号电路静态参数、动态参数的测试。

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GB/T 35010.5-2018 半导体芯片产品 第5部分:电学仿真要求 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用,半导体芯片产品包括:●〓晶圆;●〓单个裸芯片;●〓带有互连结构的芯片和晶圆;●〓最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了所需的电仿真信息,目的在于促进电子数据、电子系统电学行为和功能验证仿真模型的使用。电子系统包括带或不带互连结构的半导体裸芯片,和(或)最小封装的半导体芯片。本部分是为了使芯片产品供应链中所有的环节都满足IEC 622581和IEC 622582的要求。

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GB/T 42973-2023 半导体集成电路 数字模拟(DA)转换器 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-01-01

本文件规定了数字模拟(DA)转换器(以下简称DA转换器或DAC)的分类、技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造的DA转换器。

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GB/T 44687-2024 超硬磨料制品 半导体晶圆精密磨削用砂轮 现行 发布日期 :  2024-09-29 实施日期 :  2025-04-01

本文件规定了半导体晶圆精密磨削用砂轮的产品分类、产品标记、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本文件适用于半导体晶圆边缘倒角精密磨削和端面减薄精密磨削用金属结合剂、树脂结合剂和陶瓷结合剂及其复合结合剂金刚石砂轮。

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GB/T 41040-2021 宇航用商业现货(COTS)半导体器件 质量保证要求 现行 发布日期 :  2021-12-31 实施日期 :  2022-07-01

本文件规定了宇航用商业现货半导体器件(以下简称COTS器件)的质量保证要求,确立了宇航用COTS器件需求分析、评价试验、破坏性物理分析(DPA)、筛选试验、鉴定试验的具体要求和应用控制要求。
本文件适用于宇航用COTS器件质量保证。
本文件不适用于COTS器件供方的生产过程及质量体系的管理和控制。

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GB/T 16464-1996 半导体器件 集成电路 第1部分:总则 现行 发布日期 :  1996-07-09 实施日期 :  1997-01-01

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GB/T 36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法 现行 发布日期 :  2018-06-07 实施日期 :  2019-01-01

本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能测试的基本方法。
本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能的测试。

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GB/T 35010.2-2018 半导体芯片产品 第2部分:数据交换格式 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

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GB/T 35010.7-2018 半导体芯片产品 第7部分:数据交换的XML格式 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用。其中半导体芯片产品包括:--晶圆;--单个裸芯片;--带有互连结构的芯片与晶圆;--最小或部分封装的芯片与晶圆。本部分规定了一种XML格式,该格式定义了数据交换所需的元素,满足IEC 622581、IEC 622585、IEC 622586的实施要求,同时对IEC 622582中定义的交换结构进行补充。本部分也补充并兼容IEC/TR 622584中的调查表。

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GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范 现行 发布日期 :  2018-06-07 实施日期 :  2019-01-01

本标准规定了功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。
本标准适用于功率半导体发光二极管芯片。

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GB/T 6798-1996 半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理 现行 发布日期 :  1996-07-09 实施日期 :  1997-01-01

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GB/T 44181-2024 空间环境 宇航用半导体器件在轨单粒子翻转率预计方法 现行 发布日期 :  2024-07-24 实施日期 :  2024-07-24

本文件描述了开展宇航用半导体器件(以下简称“器件”)在轨单粒子翻转率预计的方法,包括原理、流程、空间带电粒子LET 谱和质子能谱计算、辐照试验数据处理分析和单粒子翻转率预计等。本文件适用于空间自然辐射环境中的质子和重离子引发器件单粒子翻转率的预计。单粒子功能中断等其他类型单粒子事件率预计参考使用。本文件不适用于高能电子引发的单粒子翻转率的预计。

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GB/T 44924-2024 半导体集成电路 射频发射器/接收器测试方法 现行 发布日期 :  2024-12-31 实施日期 :  2025-04-01

本文件规定了半导体集成电路射频发射器和接收器(以下简称器件)的电特性测试方法的基本原理和测试程序。
本文件适用于具有接收功能、发射功能、收发一体功能的一次变频射频发射器/接收器,其他类型的发射器和接收器可参考使用。

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GB/T 14030-1992 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 现行 发布日期 :  1992-12-18 实施日期 :  1993-08-01

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GB/T 14862-1993 半导体集成电路封装结到外壳热阻测试方法 现行 发布日期 :  1993-12-30 实施日期 :  1994-10-01

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