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本标准规定了功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。 本标准适用于功率半导体发光二极管芯片。
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本文件规定了半导体集成电路射频发射器和接收器(以下简称器件)的电特性测试方法的基本原理和测试程序。 本文件适用于具有接收功能、发射功能、收发一体功能的一次变频射频发射器/接收器,其他类型的发射器和接收器可参考使用。
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本标准规定了半导体变流器与供电系统兼容问题,并提供相互干扰的处理原则和方法。 本标准是GB/T 3859在半导体变流器与供电系统兼容方面的补充。 本标准适用于电网换相半导体变流器,其他类型的半导体变流器可以参照使用。 本标准不涉及音频和射频方面兼容性问题。
GB/T 35010的本部分给出了半导体芯片产品操作、包装和贮存过程中的一般要求。本部分适用于指导半导体芯片产品(以下简称芯片产品)的操作、包装、贮存和使用。本部分所指的半导体芯片产品包括:--晶圆;--单个裸芯片;--带有互连结构的芯片和晶圆;--最小或部分封装芯片和晶圆。
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本文件规定了晶圆键合后键合强度的测量方法,适用于硅硅共熔键合、硅玻璃阳极键合等多种晶圆键合方式,以及MEMS工艺、组装流程中相关结构尺寸的键合强度的评估。 本文件适用于从十微米到几毫米厚的晶圆间的键合强度测量。
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本文件界定了半导体器件长期贮存的相关术语、定义和原理。长期贮存作为一种延缓淘汰的策略,是指产品预计贮存时间超过12个月的贮存。本文件提供了有效进行元器件长期贮存的理念、良好工作习惯和一般方法。
本文件规定了半导体集成电路中直接数字频率合成器(以下简称“器件”)电特性的通用测试方法。本文件适用于单通道及多通道直接数字频率合成器电路的测试。
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本标准规定了同步电动机半导体励磁装置的术语和定义、技术要求、试验、标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于户内安装的轻载或重载起动、降电压或全电压起动的同步电动机半导体励磁装置(以下简称装置)。
本文件描述了半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验方法以及TDDB失效的产品寿命时间估算方法。
本文件描述了开展宇航用半导体器件(以下简称“器件”)在轨单粒子翻转率预计的方法,包括原理、流程、空间带电粒子LET 谱和质子能谱计算、辐照试验数据处理分析和单粒子翻转率预计等。本文件适用于空间自然辐射环境中的质子和重离子引发器件单粒子翻转率的预计。单粒子功能中断等其他类型单粒子事件率预计参考使用。本文件不适用于高能电子引发的单粒子翻转率的预计。
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