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GB/T 8446.1-2022 电力半导体器件用散热器 第1部分:散热体 现行 发布日期 :  2022-03-09 实施日期 :  2022-10-01

本文件规定了电力半导体器件用散热体的术语和定义、型式和冷却方式代号、外形尺寸和安装尺寸、技术要求、检验规则以及标志、包装、运输和贮存要求。
本文件适用于电力半导体器件用空气冷却散热体和水冷却散热体。外形尺寸和安装尺寸符合本文件第5章规定的型材散热体也可参照使用。
本文件不适用于热管类散热体。

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GB/T 35010.7-2018 半导体芯片产品 第7部分:数据交换的XML格式 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用。其中半导体芯片产品包括:--晶圆;--单个裸芯片;--带有互连结构的芯片与晶圆;--最小或部分封装的芯片与晶圆。本部分规定了一种XML格式,该格式定义了数据交换所需的元素,满足IEC 622581、IEC 622585、IEC 622586的实施要求,同时对IEC 622582中定义的交换结构进行补充。本部分也补充并兼容IEC/TR 622584中的调查表。

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GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范 现行 发布日期 :  2018-06-07 实施日期 :  2019-01-01

本标准规定了中功率半导体发光二极管芯片产品(以下简称芯片)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。
本标准适用于中功率半导体发光二极管芯片。

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GB/T 14112-2015 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范 现行 发布日期 :  2015-05-15 实施日期 :  2016-01-01

本标准规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。本标准适用于双列(DIP)冲制型引线框架。单列冲制型引线框架亦可参照使用。

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GB/T 35010.8-2018 半导体芯片产品 第8部分:数据交换的EXPRESS格式 现行 发布日期 :  2018-03-15 实施日期 :  2018-08-01

GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用。其中半导体芯片产品包括:●〓晶圆;●〓单个裸芯片;●〓带有互连结构的芯片和晶圆;●〓最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了数据交换所需元素的EXPRESS格式;满足IEC 622581、IEC 622585及IEC 622586的实施要求;补充IEC 622582中定义的数据交换结构;兼容且补充IEC 622584中的信息表。

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GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备 现行 发布日期 :  2018-09-17 实施日期 :  2019-01-01

本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备(以下简称“HVPE设备”)的产品分类和标记、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。
本标准适用于制备直径50.8 mm~152.4 mm氮化物半导体材料的HVPE设备。

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GB/T 16525-2015 半导体集成电路 塑料有引线片式载体封装引线框架规范 现行 发布日期 :  2015-05-15 实施日期 :  2016-01-01

本标准规定了半导体集成电路塑料有引线片式载体(PLCC)封装引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。
本标准适用于半导体集成电路塑料有引线片式载体(PLCC)封装引线框架的研制、生产和采购。

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GB/T 42706.2-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第2部分:退化机理 现行 发布日期 :  2023-05-23 实施日期 :  2023-09-01

本文件描述了电子元器件在实际贮存条件下随时间推移的退化机理和退化方式,以及评估一般退化机理的试验方法。通常本文件与IEC 624351一起使用,用于预计贮存时间超过12个月的长期贮存器件。特定类型电子元器件的退化机理在IEC 624355~IEC 624359中加以规定。

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GB/T 43226-2023 宇航用半导体集成电路单粒子软错误时域测试方法 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-01-01

本文件规定了宇航用半导体集成电路单粒子软错误时域测试的原理、环境条件、仪器设备、试验样品、试验步骤、试验报告。本文件适用于宇航用半导体集成电路单粒子软错误的测试。

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GB/T 45718-2025 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验 现行 发布日期 :  2025-05-30 实施日期 :  2025-09-01

本文件描述了半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)的试验方法、测试结构和寿命时间估算方法。

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GB/T 45721.1-2025 半导体器件 应力迁移试验 第1部分:铜应力迁移试验 现行 发布日期 :  2025-05-30 实施日期 :  2025-09-01

本文件规定了一种恒温老化方法,该方法用于试验微电子晶圆上的铜(Cu)金属化测试结构对应力诱生空洞(SIV)的敏感性。该方法将主要在产品的晶圆级工艺开发过程中进行,其结果将用于寿命预测和失效分析。在某些情况下,该方法能应用于封装级试验。由于试验时间长,此方法不适用于产品批次性交付检查。
双大马士革铜金属化系统通常在蚀刻到介电层的沟槽的底部和侧面具有内衬,例如钽(Ta)或氮化钽(TaN)。因此,对于单个通孔接触下面宽线的结构,通孔下方空洞引起的阻值漂移达到失效判据规定的某一百分比时,将会瞬间导致开路失效。

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GB/T 17573-1998 半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则 现行 发布日期 :  1998-11-17 实施日期 :  1999-06-01

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GB/T 4937.1-2006 半导体器件 机械和气候试验方法 第1部分:总则 现行 发布日期 :  2006-08-23 实施日期 :  2007-02-01

本部分适用于半导体器件(分立器件和集成电路)并为GB/T 4937系列的其他部分建立通用准则。 当本部分与相应的详细规范有矛盾时,以详细规范为准。

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GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 现行 发布日期 :  2006-07-18 实施日期 :  2006-11-01

本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量,但该方法也可适用于其他半导体单晶材料,一般情况下,适用于室温电阻率高达 104 Ω·cm 半导体单晶材料的测试。

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本文件规定了利用脉冲激光辐射源开展宇航用半导体器件(以下简称“器件”)单粒子效应模拟试验的试验设计与程序。本文件适用于宇航用半导体器件单粒子效应等的单光子或双光子吸收机制的脉冲激光模拟试验的试验设计与过程控制。

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