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GB/T 17940-2000 半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 现行 发布日期 :  2000-01-03 实施日期 :  2000-07-01

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GB/T 14029-1992 半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理 现行 发布日期 :  1992-12-18 实施日期 :  1993-08-01

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GB/T 14115-1993 半导体集成电路采样/保持放大器测试方法的基本原理 现行 发布日期 :  1993-01-21 实施日期 :  1993-08-01

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GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 现行 发布日期 :  2006-07-18 实施日期 :  2006-11-01

本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量,但该方法也可适用于其他半导体单晶材料,一般情况下,适用于室温电阻率高达 104 Ω·cm 半导体单晶材料的测试。

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本文件规定了利用脉冲激光辐射源开展宇航用半导体器件(以下简称“器件”)单粒子效应模拟试验的试验设计与程序。本文件适用于宇航用半导体器件单粒子效应等的单光子或双光子吸收机制的脉冲激光模拟试验的试验设计与过程控制。

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GB/T 4587-2023 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-04-01

本文件给出了下列几种类型双极型晶体管(微波晶体管除外)的有关要求:--小信号晶体管(开关和微波用除外);--线性功率晶体管(开关、高频和微波用除外);--放大和振荡用高频功率晶体管;--高速开关和电源开关用开关晶体管;--电阻偏置晶体管。

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GB/T 42706.2-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第2部分:退化机理 现行 发布日期 :  2023-05-23 实施日期 :  2023-09-01

本文件描述了电子元器件在实际贮存条件下随时间推移的退化机理和退化方式,以及评估一般退化机理的试验方法。通常本文件与IEC 624351一起使用,用于预计贮存时间超过12个月的长期贮存器件。特定类型电子元器件的退化机理在IEC 624355~IEC 624359中加以规定。

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GB/T 43226-2023 宇航用半导体集成电路单粒子软错误时域测试方法 现行 发布日期 :  2023-09-07 实施日期 :  2024-01-01

本文件规定了宇航用半导体集成电路单粒子软错误时域测试的原理、环境条件、仪器设备、试验样品、试验步骤、试验报告。本文件适用于宇航用半导体集成电路单粒子软错误的测试。

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GB/T 17573-1998 半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则 现行 发布日期 :  1998-11-17 实施日期 :  1999-06-01

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GB/T 16525-2015 半导体集成电路 塑料有引线片式载体封装引线框架规范 现行 发布日期 :  2015-05-15 实施日期 :  2016-01-01

本标准规定了半导体集成电路塑料有引线片式载体(PLCC)封装引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。
本标准适用于半导体集成电路塑料有引线片式载体(PLCC)封装引线框架的研制、生产和采购。

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GB/T 4937.1-2006 半导体器件 机械和气候试验方法 第1部分:总则 现行 发布日期 :  2006-08-23 实施日期 :  2007-02-01

本部分适用于半导体器件(分立器件和集成电路)并为GB/T 4937系列的其他部分建立通用准则。 当本部分与相应的详细规范有矛盾时,以详细规范为准。

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GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备 现行 发布日期 :  2018-09-17 实施日期 :  2019-01-01

本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备(以下简称“HVPE设备”)的产品分类和标记、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。
本标准适用于制备直径50.8 mm~152.4 mm氮化物半导体材料的HVPE设备。

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GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 现行 发布日期 :  1998-11-17 实施日期 :  1999-06-01

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GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) 现行 发布日期 :  2012-12-31 实施日期 :  2013-06-01

本标准给出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。

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本文件规定了利用柱状试样测量微尺寸单元与衬底间黏结强度的试验方法。本文件适用于对衬底上宽度和厚度分别介于1 μm~1 mm的微结构进行黏结强度测试。MEMS 器件的微尺寸单元是由通过淀积、电镀、涂胶、光刻等工艺在衬底上制作出的层叠精细薄膜图形组成的。MEMS器件包含大量不同材料间的界面,在制造或使用过程中这些界面偶尔会发生分层。连接界面处的材料结合性决定了黏结强度,此外,界面附近的缺陷和残余应力会随工艺条件的变化而变化,极大地影响黏结强度。本文件规定了微尺寸单元的黏结强度试验方法,以便于优选MEMS器件的材料和工艺条件。由于组成MEMS器件的材料和尺寸范围非常广泛,用于测量微尺寸单元的仪器也未被全面推广,本文件没有对试样的材料、尺寸和性能做出特别限制。

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