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【国家标准】 半导体器件　内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验

本网站 发布时间： 2025-09-01
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适用范围：

本文件描述了半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)的试验方法、测试结构和寿命时间估算方法。

基本信息

  • 标准号：

    GB/T 45718-2025

  • 标准名称：

    半导体器件　内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验

  • 英文名称：

    Semiconductor devices—Time-dependent dielectric breakdown(TDDB) test for inter-metal layers

  • 标准状态：

    现行

  • 发布日期：

    2025-05-30

  • 实施日期：

    2025-09-01

  • 出版语种：

    中文简体

标准分类号

  • 标准ICS号：

    31.080.01

  • 中标分类号：

    L40

关联标准

  • 替代以下标准：

  • 被以下标准替代：

  • 引用标准：

  • 采用标准：

    《半导体器件　第1部分:内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验》 IDT 等同采用

出版信息

  • 页数：

    20 页

  • 字数：

    23 千字

  • 开本：

    大16 开

其他信息

  • 起草人：

    高汭、陈义强、王铁羊、柯佳键、冯宇翔、雷志锋、方文啸、杨晓锋、俞鹏飞、来萍、常江、罗俊、纪志罡、李治平、宫玉彬

  • 起草单位：

    工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、广东科信电子有限公司、中国电子科技集团公司第二十四研究所、广东汇芯半导体有限公司、上海交通大学、青岛芯瑞智能控制有限公司、电子科技大学

  • 归口单位：

    全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78)

  • 提出部门：

    中华人民共和国工业和信息化部

  • 发布部门：

    国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
  • 其它标准
  • 推荐标准

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