本文件规定了塑封电子元器件进行声学显微镜检查的程序。本文件提供了一种使用声学显微镜对塑料封装进行缺陷（分层、裂纹、模塑料空洞等）检查的方法，本方法具有可重复性，是非破坏性试验。

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本文件规定了光电二极管（以下简称“PDs”）和光电晶体管（以下简称“PTs”）的术语、基本额定值和特性以及测试方法。本文件适用于光电二极管和光电晶体管。

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本文件规定了光电耦合器的基本额定值、特性、安全试验及测试方法。

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本文件规定了激光显示器件单色散斑对比度的标准测量条件和测量方法。本文件适用于全部为激光光源以及包含激光光源（一个或多个)和自发辐射光源（例如发光二极管)的混合型光源的激光显示器件。〓〓注： 单色散斑对比度测量不包含图像质量的内容。

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本文件描述了一种确定半导体器件对热应力和机械应力耐受能力的方法，通过对器件内部芯片和连接结构施加循环耗散功率来实现。试验时，周期性施加和移除正向偏置（负载电流)，使其温度快速变化。本试验是模拟电力电子的典型应用，也是对高温工作寿命（见IEC 60749-23)的补充。其失效机理可能不同于空气对空气温度循环试验及双液槽法快速温变试验。本试验会导致损伤，是破坏性试验。

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本文件提供了在商用碳化硅（SiC）同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例，为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。
本文件主要论述缺陷的无损表征方法，因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。

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本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM)、光致发光（PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。

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本文件提供了商用碳化硅(4H-SiC)同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例，为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。

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本文件界定了基于阵列波导光栅(AWG)技术的密集波分复用(DWDM)滤波器(以下简称为“AWG滤波器”)的术语和定义；规定了分类、技术要求、可靠性试验、检验规则、标志、包装、运输和贮存要求；描述了相应的试验方法。本文件适用于基于阵列波导光栅(AWG)技术的密集波分复用(DWDM)滤波器的设计、开发、生产和检验。

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本文件界定了激光显示器件及相关组件所优选的术语、定义和符号。
本文件适用于采用激光作为光源的激光显示器件。

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本文件规定了宇航用半导体分立器件（以下简称“器件”）的通用要求、质量保证规定、交货准备和说明事项。本文件适用于宇航用半导体分立器件的设计、生产、检验和销售。

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在GB/T 21413.2-2021通用规则的基础上，本文件规定了高压熔断器的附加或修改规则。

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在GB/T 21413.2—2021通用规则的基础上，本文件规定了主触头连接到直流主电路和/或辅助电路的断路器的使用规则。电路的标称电压不超过IEC 60850规定的DC 3 000 V。
本文件适用于机车车辆上的直流断路器。

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在GB/T 21413.2—2021通用规则的基础之上，本文件规定了主触头连接到交流架空接触网的交流断路器的使用规则，电路的标称电压符合IEC 60850的要求。
本文件适用于机车车辆上的交流断路器。

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本文件描述了通信用光器件的相对频率响应、绝对频率响应、工作带宽、频响平坦度、相位、群时延、传输系数、反射系数、阻抗、互调失真等频响参数测试的原理,测试条件及要求,测试仪器,测试参数及测试方法。
本文件适用于电光器件、光电器件和光光器件等通信用光器件的频响参数测试。

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